Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 88, выпуск 9, страницы 702–706 (Mi jetpl277)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Генерация и удаление адатом-индуцированных электронных состояний на поверхности Cs/GaAs(001)

А. Г. Журавлевab, В. Л. Альперовичab

a Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Список литературы:
Аннотация: На поверхности Cs/GaAs(001) наблюдалось немонотонное поведение изгиба зон $\varphi_S$ как функции цезиевого покрытия $\theta$ в виде нескольких максимумов и минимумов, что свидетельствует о формировании квазидискретного спектра адатом-индуцированных поверхностных электронных состояний. Гистерезис зависимости $\varphi_S(\theta)$ при адсорбции и последующей термодесорбции цезия указывает на метастабильность системы Cs/GaAs(001).
Поступила в редакцию: 18.09.2008
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2009, Volume 88, Issue 9, Pages 611–615
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364008210145
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 68.35.Bs, 73.61.Ey, 78.66.Fd
Образец цитирования: А. Г. Журавлев, В. Л. Альперович, “Генерация и удаление адатом-индуцированных электронных состояний на поверхности Cs/GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008), 702–706; JETP Letters, 88:9 (2009), 611–615
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuAlp08}
\by А.~Г.~Журавлев, В.~Л.~Альперович
\paper Генерация и удаление адатом-индуцированных электронных состояний на поверхности Cs/GaAs(001)
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2008
\vol 88
\issue 9
\pages 702--706
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl277}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2009
\vol 88
\issue 9
\pages 611--615
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364008210145}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000262846700014}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-64749087873}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl277
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v88/i9/p702
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:224
    PDF полного текста:86
    Список литературы:50
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024