|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 88, выпуск 9, страницы 702–706
(Mi jetpl277)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Генерация и удаление адатом-индуцированных электронных состояний на поверхности Cs/GaAs(001)
А. Г. Журавлевab, В. Л. Альперовичab a Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
На поверхности Cs/GaAs(001) наблюдалось немонотонное поведение изгиба зон $\varphi_S$ как функции цезиевого покрытия $\theta$ в виде нескольких максимумов и минимумов, что свидетельствует о формировании квазидискретного спектра адатом-индуцированных поверхностных электронных состояний. Гистерезис зависимости $\varphi_S(\theta)$ при адсорбции и последующей термодесорбции цезия указывает на метастабильность системы Cs/GaAs(001).
Поступила в редакцию: 18.09.2008
Образец цитирования:
А. Г. Журавлев, В. Л. Альперович, “Генерация и удаление адатом-индуцированных электронных состояний на поверхности Cs/GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008), 702–706; JETP Letters, 88:9 (2009), 611–615
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl277 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v88/i9/p702
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 225 | PDF полного текста: | 86 | Список литературы: | 50 |
|