Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2013, том 98, выпуск 8, страницы 513–517
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X13200046 (Mi jetpl3546) 		 
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Фотоэмиссия из $p$-GaAs(001) с неравновесными слоями цезия

А. Г. Журавлевab, М. Л. Савченкоba, А. Г. Паулишab, В. Л. Альперовичba

a Новосибирский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (445 kB) Список цитирования (10)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X13200046
Аннотация: Экспериментально изучены зависимости тока фотоэмиссии и эффективного электронного сродства от величины субмонослойного цезиевого покрытия при адсорбции Cs на поверхности GaAs(001), а также кинетика фототока и сродства после выключения Cs источника, обусловленная релаксацией структуры неравновесного адсорбционного слоя. Обнаруженные особенности в зависимости фототока от Cs-покрытия связаны с немонотонным поведением поверхностного изгиба зон в системе Cs/GaAs(001). Установлено, что релаксационное уменьшение фототока при покрытиях менее половины монослоя обусловлено релаксацией изгиба зон, а рост фототока при больших покрытиях вызван релаксацией электронного сродства.
Поступила в редакцию: 22.08.2013
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2013, Volume 98, Issue 8, Pages 455–459
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364013210169
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Г. Журавлев, М. Л. Савченко, А. Г. Паулиш, В. Л. Альперович, “Фотоэмиссия из $p$-GaAs(001) с неравновесными слоями цезия”, Письма в ЖЭТФ, 98:8 (2013), 513–517; JETP Letters, 98:8 (2013), 455–459
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuSavPau13}
\by А.~Г.~Журавлев, М.~Л.~Савченко, А.~Г.~Паулиш, В.~Л.~Альперович
\paper Фотоэмиссия из $p$-GaAs(001) с неравновесными слоями цезия
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2013
\vol 98
\issue 8
\pages 513--517
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3546}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X13200046}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20901907}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2013
\vol 98
\issue 8
\pages 455--459
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364013210169}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000329102000004}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21904238}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84891284435}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3546
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v98/i8/p513
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024