|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Д. М. Леган, О. П. Пчеляков, В. В. Преображенский, “Оптимизация толщины слоя In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As в трехкаскадном In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs/In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P солнечном элементе”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 65–68   ; D. M. Legan, O. P. Pchelyakov, V. V. Preobrazhenskii, “Optimization of the In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As-layer thickness in a triple-junction In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs/In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P solar cell”, Semiconductors, 54:1 (2020), 108–111 |
2
|
|
2018 |
| 2. |
М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков, “Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 409–413 ; M. Yu. Yesin, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin, O. P. Pchelyakov, “Formation of a stepped Si(100) surface and its effect on the growth of Ge islands”, Semiconductors, 52:3 (2018), 390–393 |
|
2016 |
| 3. |
А. С. Паршин, А. Ю. Игуменов, Ю. Л. Михлин, О. П. Пчеляков, В. С. Жигалов, “Сравнительный анализ спектров характеристических потерь энергии электронов и спектров сечения неупругого рассеяния в Fe”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 881–887 ; A. S. Parshin, A. Yu. Igumenov, Yu. L. Mikhlin, O. P. Pchelyakov, V. S. Zhigalov, “Comparative analysis of characteristic electron energy loss spectra and inelastic scattering cross-section spectra of Fe”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 908–914 |
5
|
| 4. |
А. С. Паршин, А. Ю. Игуменов, Ю. Л. Михлин, О. П. Пчеляков, В. С. Жигалов, “Исследование дисилицида железа методами электронной спектроскопии”, ЖТФ, 86:9 (2016), 136–140 ; A. S. Parshin, A. Yu. Igumenov, Yu. L. Mikhlin, O. P. Pchelyakov, V. S. Zhigalov, “Electron spectroscopy of iron disilicide”, Tech. Phys., 61:9 (2016), 1418–1422 |
4
|
| 5. |
А. С. Паршин, С. А. Кущенков, О. П. Пчеляков, Ю. Л. Михлин, “Послойный анализ методом спектроскопии сечения неупругого рассеяния электронов распределения диоксида кремния по толщине в структуре SiO$_{2}$/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 344–349 ; A. S. Parshin, S. A. Kushchenkov, O. P. Pchelyakov, Yu. L. Mikhlin, “Layer-by-layer analysis of the thickness distribution of silicon dioxide in the structure SiO$_{2}$/Si(111) by inelastic electron scattering cross-section spectroscopy”, Semiconductors, 50:3 (2016), 339–344 |
|
2008 |
| 6. |
Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, “Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок”, УФН, 178:5 (2008), 459–480 ; Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, “GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineering”, Phys. Usp., 51:5 (2008), 437–456   |
253
|
|
2005 |
| 7. |
Д. В. Гриценко, С. C. Шаймеев, М. А. Ламин, О. П. Пчеляков, В. А. Гриценко, В. Г. Лифшиц, “Двузонная проводимость ZrO$_2$, синтезированного методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖЭТФ, 81:11 (2005), 721–723 ; D. V. Gritsenko, S. S. Shaimeev, M. A. Lamin, O. P. Pchelyakov, V. A. Gritsenko, V. G. Lifshits, “Two-band conductivity of ZrO<sub>2</sub> synthesized by molecular beam epitaxy”, JETP Letters, 81:11 (2005), 587–589 |
11
|
| 8. |
Д. А. Орехов, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. И. Никифоров, В. В. Ульянов, О. П. Пчеляков, “Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света”, Письма в ЖЭТФ, 81:7 (2005), 415–418 ; D. A. Orekhov, V. A. Volodin, M. D. Efremov, A. I. Nikiforov, V. V. Ul'yanov, O. P. Pchelyakov, “Phonon localization in Ge nanoislands and its manifestation in Raman spectra”, JETP Letters, 81:7 (2005), 331–334 |
8
|
| 9. |
А. Г. Милехин, А. И. Никифоров, О. П. Пчеляков, А. Г. Родригес, Ж. К. Гальзерани, Д. Р. Т. Цан, “Резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GeSi/Si с квантовыми точками GeSi”, Письма в ЖЭТФ, 81:1 (2005), 33–36 ; A. G. Milekhin, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, A. G. Rodrigues, J. C. Galzerani, D. R. T. Zahn, “Resonant Raman scattering in GeSi/Si superlattices with GeSi quantum dots”, JETP Letters, 81:1 (2005), 30–33 |
15
|
|
2001 |
| 10. |
А. Г. Милёхин, А. И. Никифоров, О. П. Пчеляков, С. Шульце, Д. Р. Т. Цан, “Фононы в сверхрешетках Ge/Si с квантовыми точками Ge”, Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001), 521–525 ; A. G. Milekhin, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, Sh. Shul'tse, D. R. T. Tsan, “Phonons in Ge/Si superlattices with Ge quantum dots”, JETP Letters, 73:9 (2001), 461–464 |
15
|
| 11. |
Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, С. И. Чикичев, “Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур”, УФН, 171:7 (2001), 689–715 ; Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, S. I. Chikichev, “Silicon – germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures”, Phys. Usp., 44:7 (2001), 655–680 |
64
|
|
2000 |
| 12. |
О. П. Пчеляков, “Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология”, УФН, 170:9 (2000), 993–995 ; O. P. Pchelyakov, “Molecular beam epitaxy: equipment, devices, technology”, Phys. Usp., 43:9 (2000), 923–925 |
3
|
|
1992 |
| 13. |
Ю. А. Пусеп, М. П. Синюков, А. Б. Талочкин, М. Кардона, В. А. Марков, О. П. Пчеляков, “Фононные спектры напряженных сверхрешеток Si/(Si : Ge) (111)”, Физика твердого тела, 34:4 (1992), 1125–1133 |
|
1991 |
| 14. |
А. Б. Талочкин, В. А. Марков, И. Г. Неизвестный, О. П. Пчеляков, М. П. Синюков, С. И. Стенин, “Квантование спектра оптических фононов в Si$-$Si$_{0.5}$Ge$_{0.5}$ сверхрешетках”, Физика твердого тела, 33:6 (1991), 1695–1698 |
|
Обратная связь: