|
Эта публикация цитируется в 64 научных статьях (всего в 64 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур
Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, С. И. Чикичев Институт физики полупроводников СО РАН
Аннотация:
Гетероструктуры GexSi1–x/Si на основе двух элементарных полупроводников становятся важным элементом современной микроэлектроники. Успешное эпитаксиальное выращивание таких гетероструктур предполагает детальное знание механизмов упругой и пластической деформации сплошных и островковых пленок как на начальных стадиях эпитаксии, так и при последующей термообработке. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен большой материал, отражающий достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов формирования упруго деформированных и пластически релаксированных гетерокомпозиций в системе GexSi1–x/Si, в частности, обсуждается использование "податливых" и "мягких" подложек, а также синтез островков нанометровых размеров (так называемых квантовых точек).
Поступила: 18 октября 2000 г.
Образец цитирования:
Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, С. И. Чикичев, “Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур”, УФН, 171:7 (2001), 689–715; Phys. Usp., 44:7 (2001), 655–680
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn1893 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v171/i7/p689
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 398 | PDF полного текста: | 147 | Список литературы: | 54 | Первая страница: | 1 |
|