Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2008, том 178, номер 5, страницы 459–480
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0178.200805b.0459 (Mi ufn594) 		 
Эта публикация цитируется в 253 научных статьях (всего в 253 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок

Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков

Институт физики полупроводников СО РАН
PDF полного текста (5834 kB) Список цитирования (253)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0178.200805b.0459
Аннотация: Кремний и арсенид галлия являются основными материалами современной микро- и наноэлектроники. Однако до сих пор приборы на их основе существуют раздельно на подложках Si и GaAs. Исследователи на протяжении последних более чем двадцати лет пытаются объединить эти материалы на наиболее эффективной подложке кремния. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на его основе на подложках Si; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур. Освещены достижения последних лет в изготовлении гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$/Si приборного качества и приборов на их основе.
Поступила: 28 ноября 2007 г.
Доработана: 9 января 2008 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2008, Volume 51, Issue 5, Pages 437–456
DOI: https://doi.org/10.1070/PU2008v051n05ABEH006529
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 61.72.Lk, 62.25.-g, 81.05.Cy, 81.05.Ea, 81.15.-z, 85.40.Sz
Образец цитирования: Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, “Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок”, УФН, 178:5 (2008), 459–480; Phys. Usp., 51:5 (2008), 437–456
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BolPch08}
\by Ю.~Б.~Болховитянов, О.~П.~Пчеляков
\paper Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок
\jour УФН
\yr 2008
\vol 178
\issue 5
\pages 459--480
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn594}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0178.200805b.0459}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2008PhyU...51..437B}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2008
\vol 51
\issue 5
\pages 437--456
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2008v051n05ABEH006529}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000259376200002}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-51549109577}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn594
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v178/i5/p459
    • Эта публикация цитируется в следующих 253 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:1586
    PDF полного текста:223
    Список литературы:56
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024