|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Е. А. Климов, А. Н. Клочков, П. М. Солянкин, А. С. Синько, А. Ю. Павлов, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, “Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе”, Квантовая электроника, 54:1 (2024), 43–50  |
|
2019 |
| 2. |
Д. В. Лаврухин, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, А. Э. Ячменев, М. В. Майтама, И. А. Глинский, Р. А. Хабибуллин, Ю. Г. Гончаров, К. И. Зайцев, Д. С. Пономарев, “Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации”, Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019), 663–669  ; D. V. Lavrukhin, R. R. Galiev, A. Yu. Pavlov, A. E. Yachmenev, M. V. Maytama, I. A. Glinskiy, R. A. Khabibullin, Yu. G. Goncharov, K. I. Zaitsev, D. S. Ponomarev, “Plasmonic photoconductive antennas for terahertz pulsed spectroscopy and imaging systems”, Optics and Spectroscopy, 126:5 (2019), 580–586 |
9
|
|
2018 |
| 3. |
С. В. Михайлович, А. Ю. Павлов, К. Н. Томош, Ю. В. Федоров, “Низкоэнергетическое бездефектное сухое травление барьерного слоя HEMT AlGaN/AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 44:10 (2018), 61–67 ; S. V. Mikhailovich, A. Yu. Pavlov, K. N. Tomosh, Yu. V. Fedorov, “Low-energy defectless dry etching of the AlGaN/AlN/GaN HEMT barrier layer”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 435–437 |
8
|
|
2017 |
| 4. |
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, А. Ю. Павлов, Д. Н. Слаповский, И. А. Глинский, Д. В. Лаврухин, О. А. Рубан, П. П. Мальцев, “Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1267–1272 ; D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, A. Yu. Pavlov, D. N. Slapovskiy, I. A. Glinskiy, D. V. Lavrukhin, O. A. Ruban, P. P. Maltsev, “Electrical and thermal properties of photoconductive antennas based on In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) with a metamorphic buffer layer for the generation of terahertz radiation”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1218–1223 |
14
|
| 5. |
Д. Н. Слаповский, А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, А. В. Клековкин, “Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 461–466 ; D. N. Slapovskiy, A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, A. V. Klekovkin, “Alloyed Si/Al-based ohmic contacts to AlGaN/GaN nitride heterostructures”, Semiconductors, 51:4 (2017), 438–443 |
2
|
| 6. |
А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, Д. Н. Слаповский, “Термическая стабильность несплавных омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 43:22 (2017), 96–103 ; A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, D. N. Slapovskiy, “The thermal stability of nonalloyed ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1043–1046 |
4
|
| 7. |
С. В. Михайлович, Р. Р. Галиев, А. В. Зуев, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Влияние длины затвора на скорость инжекции электронов в каналах полевых транзисторов на основе AlGaN/AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 43:16 (2017), 9–14 ; S. V. Mikhailovich, R. R. Galiev, A. V. Zuev, A. Yu. Pavlov, D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, “The influence of gate length on the electron injection of velocity in an AlGaN/AlN/GaN НЕМТ channel”, Tech. Phys. Lett., 43:8 (2017), 733–735 |
2
|
| 8. |
А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Ж. И. Алфёров, “Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 43:7 (2017), 86–94 ; A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, A. Yu. Pavlov, N. V. Shchavruk, R. A. Khabibullin, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, “Terahertz radiation generation in multilayer quantum-cascade heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 362–365 |
24
|
|
2016 |
| 9. |
К. Н. Томош, А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, Р. А. Хабибуллин, С. С. Арутюнян, П. П. Мальцев, “Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si$_{3}$N$_{4}$ in situ”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1434–1438 ; K. N. Tomosh, A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, R. A. Khabibullin, S. S. Arutyunyan, P. P. Maltsev, “Investigation of the fabrication processes of AlGaN/AlN/GaN НЕМТs with in situ Si$_{3}$N$_{4}$ passivation”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1416–1420 |
5
|
| 10. |
Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, К. Н. Томош, Р. Р. Галиев, П. П. Мальцев, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, Ж. И. Алфёров, “Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1395–1400 ; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. Yu. Pavlov, D. S. Ponomarev, K. N. Tomosh, R. R. Galiev, P. P. Maltsev, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, Zh. I. Alferov, “Fabrication of a terahertz quantum-cascade laser with a double metal waveguide based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1377–1382 |
20
|
| 11. |
С. С. Арутюнян, А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, К. Н. Томош, Ю. В. Федоров, “Двухслойная диэлектрическая маска Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1138–1142 ; S. S. Arutyunyan, A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, K. N. Tomosh, Yu. V. Fedorov, “On a two-layer Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ dielectric mask for low-resistance ohmic contacts to AlGaN/GaN HEMTs”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1117–1121 |
6
|
|
Обратная связь: