Двухслойная диэлектрическая маска Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT

Описана технология формирования двухслойной диэлектрической маски Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ и особенности ее использования в технологии невжигаемых эпитаксиально дорощенных омических контактов для мощных HEMT на гетероструктурах AlGaN/GaN. Предложенная маска Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ позволяет производить эпитаксиальное доращивание сильно легированных омических контактов методом нитридной молекулярно-лучевой эпитаксии и получать невжигаемые омические контакты с удельным сопротивлением 0.15–0.2 Ом $\cdot$ мм и с гладкой морфологией поверхности и края.