Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si$_{3}$N$_{4}$ in situ

В работе подобран оптимальный режим плазмохимического травления в среде C$_{3}$F$_{8}$/O$_{2}$ пассивирующего слоя Si$_{3}$N$_{4}$ in situ при изготовлении HEMT AlGaN/AlN/GaN. Установлено, что напряжение смещения на высокочастотном электроде 40–50 В обеспечивает анизотропное травление диэлектрика через резистную маску и не вносит заметных радиационных дефектов при перетраве пленок диэлектрика в области формирования затворной металлизации. Для оценки влияния роста Si$_{3}$N$_{4}$ in situ вместе с гетероструктурой в одном процессе на характеристики HEMT AlGaN/AlN/GaN были изготовленные транзисторы с затворами без диэлектрика и с затворами через щели в Si$_{3}$N$_{4}$. Показано, что при наличии Si$_{3}$N$_{4}$ максимальный ток стока HEMT AlGaN/AlN/GaN при 0 В на затворе в 1.5 раза выше, чем без Si$_{3}$N$_{4}$.