Низкоэнергетическое бездефектное сухое травление барьерного слоя HEMT AlGaN/AlN/GaN

Предложен метод бездефектного сухого травления барьерного слоя AlGaN, заключающийся в циклическом повторении операций плазмохимического окисления AlGaN и удалении образованного оксидного слоя реактивным ионным травлением в индуктивно-связанной плазме BCl$_{3}$. Впервые с использованием предложенной технологии травления изготовлены HEMT AlGaN/AlN/GaN с заглубленным затвором. Показано, что значения токов полученных транзисторов не зависят от количества циклов травления, при этом положение рабочей точки по затвору смещается в сторону положительных напряжений (вплоть до транзисторов, работающих в режиме обогащения).