Термическая стабильность несплавных омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN

Представлены результаты исследования деградации несплавных омических контактов с эпитаксиально-доращиваемым сильнолегированным GaN к гетероструктурам с двумерным электронным газом (ДЭГ). Исследовалось изменение значения относительного удельного контактного сопротивления при температурах до 600$^\circ$C для металлизаций Ti/Pd/Au, Cr/Au и Cr/Pd/Au. Наилучшую стойкость к температурным воздействиям показал состав металлизации Cr/Pd/Au, сопротивление которого уменьшалось при рабочих температурах 400$^\circ$C. Впервые продемонстрировано, что наибольший вклад в увеличение значения контактного сопротивления к ДЭГ при нагреве выше 400$^\circ$C вносит сопротивление структуры металл-полупроводник (Cr/Pd/Au-$n^{+}$-GaN), при этом при температурах 400$^\circ$C и выше происходит уменьшение значения сопротивления между сильнолегированным GaN и ДЭГ.