Влияние длины затвора на скорость инжекции электронов в каналах полевых транзисторов на основе AlGaN/AlN/GaN

Исследованы полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе AlGaN/AlN/GaN с разной длиной затвора $L_{g}$. Значения максимальных частот усиления по току $f_{\mathrm{T}}$ и однонаправленного коэффициента усиления $f_{\mathrm{max}}$ составили 88 и 155 GHz для транзисторов с $L_{g}$ = 125 nm и 26 и 82 GHz для транзисторов с $L_{g}$ = 360 nm соответственно. На основе измеренных $S$-параметров проведена экстракция значений элементов малосигнальных эквивалентных схем AlGaN/AlN/GaN HEMT и определена зависимость скорости инжекции $v_{inj}$ от напряжения затвор-исток. Также исследовано влияние длины затвора и напряжения между стоком и истоком на величину $v_{inj}$.