|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, Н. А. Яковенко, О. С. Пащенко, “Варизонные гетероструктуры Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$P$_{z}$As$_{1-z}$/GaAs для фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 27–30   |
|
2020 |
| 2. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, “Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi–InSb”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 523–528 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, “Phase transitions in bismuth-containing elastostressed AlGaInSbBi–InSb heterosystems”, Phys. Solid State, 62:4 (2020), 597–602 |
1
|
| 3. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, Н. М. Богатов, “Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 648–653 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, N. M. Bogatov, “AlGaInSbAs solid solutions grown on inas substrates by zone recrystallization with a temperature gradient”, Semiconductors, 54:7 (2020), 759–764 |
| 4. |
М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, “Изопериодические гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP для планарных $p$–$n$-фотодиодов”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 38–41 ; M. L. Lunina, L. S. Lunin, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, “Isoperiodic Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP heterostructures for planar $p$–$n$ photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 979–982 |
|
2019 |
| 5. |
М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина, В. В. Нефедов, “Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1110–1114 ; M. L. Lunina, L. S. Lunin, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, È. M. Danilina, V. V. Nefedov, “Effect of bismuth on the properties of elastically stressed AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP heterostructures”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1088–1091 |
1
|
| 6. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина, “Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 903–907 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, È. M. Danilina, “On the properties of isoparametric AlInGaAsP/InP heterostructures”, Semiconductors, 53:7 (2019), 887–891 |
1
|
| 7. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, О. С. Пащенко, “Гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb для фотоприемных устройств ($\lambda$ = 6–12 $\mu$m)”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 27–29 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, O. S. Pashchenko, “Heterostructures Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb for photodetector devices”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 823–826 |
| 8. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова, “Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge”, Письма в ЖТФ, 45:6 (2019), 7–9 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, D. A. Arustamyan, A. E. Kazakova, “Cascade solar cells based on GaP/Si/Ge nanoheterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 250–252 |
5
|
|
2018 |
| 9. |
Д. Л. Алфимова, М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, А. С. Пащенко, А. Е. Казакова, “Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb”, Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1277–1282 ; D. L. Alfimova, M. L. Lunina, L. S. Lunin, A. S. Pashchenko, A. E. Kazakova, “The effect of bismuth on the structural perfection and the luminescent properties of thin-film elastically stressed Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb heterostructures”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1280–1286 |
3
|
| 10. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. Е. Казакова, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, “Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 75–80 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. E. Kazakova, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, D. A. Arustamyan, “AlInGaPAs/GaAs/Si heterostructures for photoelectric converters fabricated by pulsed laser deposition”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1154–1156 |
1
|
| 11. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Э. М. Данилина, “Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 3–8 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, E. M. Danilina, “AlInPSbAs/InAs heterostructures for thermophotoelectric converters”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1049–1051 |
|
2017 |
| 12. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова, С. Н. Чеботарев, “Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1426–1433 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, D. A. Arustamyan, A. E. Kazakova, S. N. Chebotarev, “Growth and properties of isoparametric InAlGaPAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1377–1384 |
8
|
|
2016 |
| 13. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, С. Н. Чеботарев, “Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1695–1700 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, S. N. Chebotarev, “Growth and properties of GaInPSbAs isoperiodic solid solutions on indium arsenide substrates”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1751–1757 |
5
|
|
Обратная связь: