Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1426–1433
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45025.8511 (Mi phts6030) 		 
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs

Д. Л. Алфимоваa, Л. С. Лунинab, М. Л. Лунинаa, Д. А. Арустамянb, А. Е. Казаковаb, С. Н. Чеботаревab

a Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
b Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
PDF полного текста (338 kB) Список цитирования (8)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45025.8511
Аннотация: Обсуждаются результаты выращивания изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs. Исследованы состав, кристаллическое качество и люминесцентные свойства гетероструктур.
Поступила в редакцию: 28.12.2016
Принята в печать: 28.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 10, Pages 1377–1384
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617100037
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова, С. Н. Чеботарев, “Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1426–1433; Semiconductors, 51:10 (2017), 1377–1384
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlfLunLun17}
\by Д.~Л.~Алфимова, Л.~С.~Лунин, М.~Л.~Лунина, Д.~А.~Арустамян, А.~Е.~Казакова, С.~Н.~Чеботарев
\paper Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1426--1433
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6030}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45025.8511}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30291336}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1377--1384
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617100037}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6030
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1426
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024