|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Б. Е. Умирзаков, Ж. Ш. Содикжанов, Д. А. Ташмухамедова, А. А. Абдувайитов, Э. А. Раббимов, “Влияние адсорбции атомов Ba на состав, эмиссионные и оптические свойства монокристаллов CdS”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 3–5  ; B. E. Umirzakov, J. Sh. Sodikjanov, D. A. Tashmukhamedova, A. A. Abduvaitov, E. M. Rabbimov, “Adsorption of Ba atoms influences the composition, emission, and optical properties of CdS single crystals”, Tech. Phys. Lett., 47:8 (2021), 620–623 |
1
|
|
2020 |
| 2. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, С. Т. Гулямова, Г. Х. Аллаярова, “Влияние имплантации ионов Ba$^{+}$ на состав и электронные свойства пленок MoO$_{3}$/Mo (111)”, ЖТФ, 90:5 (2020), 831–834  ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, S. T. Gulyamova, G. Kh. Allayarova, “Effect of the Ba$^+$ ion implantation on the composition and electronic properties of MoO$_{3}$/Mo (111) films”, Tech. Phys., 65:5 (2020), 795–798 |
5
|
| 3. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, А. К. Ташатов, Н. М. Мустафоева, Д. М. Муродкабилов, “Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1211–1216 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, A. K. Tashatov, N. M. Mustafoeva, D. M. Muradkabilov, “Effect of the disordering of thin surface layers on the electronic and optical properties of Si(111)”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1424–1429 |
2
|
| 4. |
Д. А. Ташмухамедова, М. Б. Юсупжанова, Г. Х. Аллаярова, Б. Е. Умирзаков, “Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 32–34 ; D. A. Tashmukhamedova, M. B. Yusupjanova, G. Kh. Allayarova, B. E. Umirzakov, “Crystal structure and band gap of nanoscale phases of Si formed at various depths of the near-surface region of SiO$_{2}$”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 972–975 |
3
|
|
2019 |
| 5. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. А. Турсунов, Ё. С. Эргашов, Г. Х. Аллаярова, “Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1115–1117 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, M. A. Tursunov, Y. S. Ergashov, G. Kh. Allayarova, “Escape depth of secondary and photoelectrons from CdTe films with a Ba film”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1051–1054 |
9
|
| 6. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, А. К. Ташатов, Н. М. Мустафоева, “Электронные и оптические свойства нанопленок NiSi$_{2}$/Si”, ЖТФ, 89:5 (2019), 759–761 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, A. K. Tashatov, N. M. Mustafoeva, “Electronic and optical properties of NiSi$_{2}$/Si nanofilms”, Tech. Phys., 64:5 (2019), 708–710 |
2
|
| 7. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, Г. Х. Аллаярова, Ж. Ш. Содикжанов, “Влияние образования силицидов на удельное сопротивление кремния”, Письма в ЖТФ, 45:7 (2019), 49–51 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, G. Kh. Allayarova, J. Sh. Sodikjanov, “The effect of the formation of silicides on the resistivity of silicon”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 356–358 |
5
|
|
2017 |
| 8. |
Х. Х. Болтаев, Ж. Ш. Содикжанов, Д. А. Ташмухамедова, Б. Е. Умирзаков, “Состав и структура наноразмерных слоев Ga$_{1-x}$Na$_{x}$As, созданных в приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na$^{+}$”, ЖТФ, 87:12 (2017), 1884–1886 ; Kh. Kh. Boltaev, J. Sh. Sodikjanov, D. A. Tashmukhamedova, B. E. Umirzakov, “Composition and structure of Ga$_{1-x}$Na$_{x}$As nanolayers produced near the GaAs surface by Na$^+$ implantation”, Tech. Phys., 62:12 (2017), 1882–1884 |
4
|
|
2016 |
| 9. |
М. Б. Юсупжанова, Д. А. Ташмухамедова, Б. Е. Умирзаков, “Состав морфология и электронная структура наноразмерных фаз, созданных на поверхности SiO$_{2}$ бомбардировкой ионами Ar$^{+}$”, ЖТФ, 86:4 (2016), 148–150 ; M. B. Yusupjanova, D. A. Tashmukhamedova, B. E. Umirzakov, “Composition, morphology, and electronic structure of the nanophases created on the SiO$_{2}$ Surface by Ar$^{+}$ ion bombardment”, Tech. Phys., 61:4 (2016), 628–630 |
6
|
|
Обратная связь: