Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Демина Полина Борисовна

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 22
Научных статей: 22

Статистика просмотров:
Эта страница:66
Страницы публикаций:1093
Полные тексты:499

https://www.mathnet.ru/rus/person184024
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. М. В. Дорохин, М. С. Болдин, Е. А. Ускова, А. В. Боряков, П. Б. Демина, И. В. Ерофеева, А. В. Здоровейщев, В. Е. Котомина, Ю. М. Кузнецов, Е. А. Ланцев, А. А. Попов, В. Н. Трушин, “Формирование мелкодисперсного термоэлектрика Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электроимпульсном плазменном спекании”, ЖТФ, 91:12 (2021),  1975–1983  mathnet  elib
2. М. В. Дорохин, Б. Н. Звонков, П. Б. Демина, Н. В. Дикарева, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, О. В. Вихрова, И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, “Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах”, ЖТФ, 91:9 (2021),  1409–1414  mathnet  elib; M. V. Dorokhin, B. N. Zvonkov, P. B. Demina, N. V. Dikareva, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, O. V. Vikhrova, I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, “Methods for switching radiation polarization in GaAs laser diodes”, Tech. Phys., 66:11 (2021), 1194–1199  scopus
3. М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  38–41  mathnet  elib
2020
4. М. В. Дорохин, П. Б. Демина, Ю. А. Данилов, О. В. Вихрова, Ю. М. Кузнецов, М. В. Ведь, F. Iikawa, M. A. G. Balanta, “Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1139–1144  mathnet  elib; M. V. Dorokhin, P. B. Demina, Yu. A. Danilov, O. V. Vikhrova, Yu. M. Kuznetsov, M. V. Ved, F. Iikawa, M. A. G. Balanta, “Time-resolved photoluminescence in heterostructures with InGaAs:Cr/GaAs quantum wells”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1341–1346
5. Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, М. Н. Дроздов, А. В. Здоровейщев, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, И. Н. Антонов, С. М. Планкина, М. П. Темирязева, “Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806  mathnet  elib; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, M. N. Drozdov, A. V. Zdoroveyshchev, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, I. N. Antonov, S. M. Plankina, M. P. Temiryazeva, “Formation of carbon layers by the thermal decomposition of carbon tetrachloride in a reactor for MOCVD epitaxy”, Semiconductors, 54:8 (2020), 956–960 1
6. М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, В. Е. Милин, Ю. А. Данилов, “Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb”, Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  17–20  mathnet  elib; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, V. E. Milin, Yu. A. Danilov, “Circularly polarized electroluminescence of spin LEDs with a ferromagnetic (In,Fe)Sb injector”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 691–694
7. М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Е. И. Малышева, А. В. Кудрин, М. В. Ведь, А. В. Здоровейщев, “Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  40–43  mathnet  elib; M. V. Dorokhin, P. B. Demina, E. I. Malysheva, A. V. Kudrin, M. V. Ved, A. V. Zdoroveyshchev, “Long-range magnetic interaction in InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$ heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 87–90 1
2019
8. М. В. Дорохин, Ю. М. Кузнецов, В. П. Лесников, А. В. Здоровейщев, П. Б. Дёмина, И. В. Ерофеева, “Исследования термоэлектрических свойств сверхрешеток на основе силицида марганца и германия”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2344–2348  mathnet  elib; M. V. Dorokhin, Yu. M. Kuznetsov, V. P. Lesnikov, A. V. Zdoroveyshchev, P. B. Demina, I. V. Erofeeva, “Studies of thermoelectric properties of superlattices based on manganese silicide and germanium”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2348–2352 2
9. А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, П. Б. Демина, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин, А. Г. Темирязев, М. П. Темирязева, “Микромагнитные и магнитооптические свойства пленочных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл”, Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1628–1633  mathnet  elib; A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, P. B. Demina, M. V. Dorokhin, A. V. Kudrin, A. G. Temiryazev, M. P. Temiryazeva, “Micromagnetic and magneto-optical properties of ferromagnetic/heavy metal thin film structures”, Phys. Solid State, 61:9 (2019), 1577–1582 5
10. М. В. Дорохин, П. Б. Демина, И. В. Ерофеева, А. В. Здоровейщев, Ю. М. Кузнецов, М. С. Болдин, А. А. Попов, Е. А. Ланцев, А. В. Боряков, “Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1182–1188  mathnet  elib; M. V. Dorokhin, P. B. Demina, I. V. Erofeeva, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. M. Kuznetsov, M. S. Boldin, A. A. Popov, E. A. Lantsev, A. V. Boryakov, “In-situ doping of thermoelectric materials based on SiGe solid solutions during their synthesis by the spark plasma sintering technique”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1158–1163 4
11. А. А. Свинцов, Е. Б. Якимов, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, Ю. М. Кузнецов, “Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  101–103  mathnet  elib; A. A. Svincov, E. B. Yakimov, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, Yu. M. Kuznetsov, “Simulation of the parameters of a titanium-tritide-based beta-voltaic cell”, Semiconductors, 53:1 (2019), 96–98 4
12. М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  33–36  mathnet  elib; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, “Diode structures based on (In, Fe)Sb/GaAs magnetic heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 668–671 1
13. М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, А. В. Буданов, Ю. Н. Власов, Г. И. Котов, А. В. Здоровейщев, В. Н. Трушин, Б. Н. Звонков, “Повышение степени циркулярной поляризации спиновых светоизлучающих диодов путем обработки в парах селена”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  52–55  mathnet  elib; M. V. Dorokhin, P. B. Demina, A. V. Budanov, Yu. N. Vlasov, G. I. Kotov, A. V. Zdoroveyshchev, V. N. Trushin, B. N. Zvonkov, “Enhancing the circular polarization of spin light-emitting diodes by processing in selenium vapor”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 235–238 3
2018
14. А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, М. В. Дорохин, И. Л. Калентьева, П. Б. Дёмина, “Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt”, Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2236–2239  mathnet  elib; A. V. Kudrin, A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, M. V. Dorokhin, I. L. Kalentyeva, P. B. Demina, “Detectors of circularly polarized radiation based on semiconductor heterostructures with a CoPt Schottky barrier”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2276–2279 2
15. А. Г. Темирязев, М. П. Темирязева, А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, А. В. Кудрин, “Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа”, Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2158–2165  mathnet  elib; A. G. Temiryazev, M. P. Temiryazeva, A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, A. V. Kudrin, “Formation of a domain structure in multilayer CoPt films by magnetic probe of an atomic force microscope”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2200–2206 21
2017
16. А. В. Кудрин, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, П. Б. Дёмина, О. В. Вихрова, И. Л. Калентьева, М. В. Ведь, “Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt”, Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2203–2205  mathnet  elib; A. V. Kudrin, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, P. B. Demina, O. V. Vikhrova, I. L. Kalentyeva, M. V. Ved, “Photoconductive detector of circularly polarized radiation based on a MIS structure with a CoPt layer”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2223–2225 6
17. О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, П. Б. Демина, М. В. Дорохин, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, “Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs”, Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2196–2199  mathnet  elib; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, P. B. Demina, M. V. Dorokhin, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, “Emitting heterostructures with a bilayer InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum well and a GaMnAs ferromagnetic layer”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2216–2219 2
18. Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, А. В. Рыков, М. В. Ведь, Ю. А. Данилов, “Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$”, Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2142–2147  mathnet  elib; E. I. Malysheva, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Rykov, M. V. Ved, Yu. A. Danilov, “Control of circular polarization of electroluminescence in spin light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$ heterostructures”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2162–2167 1
19. М. В. Дорохин, М. В. Ведь, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, А. В. Рыков, Ю. М. Кузнецов, “Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt”, Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2135–2141  mathnet  elib; M. V. Dorokhin, M. V. Ved, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, A. V. Rykov, Yu. M. Kuznetsov, “Methods for spin injection managing in InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt spin light-emitting diodes”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2155–2161 5
2016
20. А. В. Здоровейщев, М. В. Дорохин, О. В. Вихрова, П. Б. Демина, А. В. Кудрин, А. Г. Темирязев, М. П. Темирязева, “Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах”, Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2186–2189  mathnet  elib; A. V. Zdoroveyshchev, M. V. Dorokhin, O. V. Vikhrova, P. B. Demina, A. V. Kudrin, A. G. Temiryazev, M. P. Temiryazeva, “Properties of CoPt ferromagnetic layers for application in spin light-emitting diodes”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2267–2270 14
21. М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Демина, Ю. В. Усов, Д. Е. Николичев, Р. Н. Крюков, С. Ю. Зубков, “Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468  mathnet  elib; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, Yu. V. Usov, D. E. Nikolichev, R. N. Kriukov, S. Yu. Zubkov, “Fabrication of MnGa/GaAs contacts for optoelectronics and spintronics applications”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1443–1448
22. А. В. Рыков, М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, П. Б. Демина, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, “Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  3–8  mathnet  elib; A. V. Rykov, M. V. Dorokhin, E. I. Malysheva, P. B. Demina, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, “Effect of the dopant concentration on the luminescence properties of InGaAs/GaAs spin light-emitting diodes with a mn $\delta$ layer”, Semiconductors, 50:1 (2016), 1–7 2

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024