Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 101–103
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46995.8884 (Mi phts5619) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана

А. А. Свинцовa, Е. Б. Якимовab, М. В. Дорохинc, П. Б. Деминаc, Ю. М. Кузнецовc

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (99 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46995.8884
Аннотация: Проведено моделирование $\beta$-вольтаических элементов питания, представляющих собой объединенные источник и преобразователь $\beta$-частиц. В качестве источника использовано соединение TiT$_{2}$, содержащее радиоактивный изотоп трития. В качестве преобразователя рассмотрены структуры на основе полупроводниковых материалов, наиболее часто использующихся при разработке элементов питания на $\beta$-вольтаическом эффекте: Si, SiC, GaAs. С применением метода Монте-Карло рассчитаны основные параметры источников, в частности, выполнены оценки предельно достижимого значения тока короткого замыкания.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 007-00220-18-00
16.7443.2017/БЧ
Работа финансировалась в рамках государственного задания № 007-00220-18-00 в ИПТМ РАН, № 16.7443.2017/БЧ – в НИФТИ ННГУ.
Поступила в редакцию: 10.04.2018
Исправленный вариант: 17.04.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 1, Pages 96–98
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619010214
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Свинцов, Е. Б. Якимов, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, Ю. М. Кузнецов, “Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 101–103; Semiconductors, 53:1 (2019), 96–98
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SviYakDor19}
\by А.~А.~Свинцов, Е.~Б.~Якимов, М.~В.~Дорохин, П.~Б.~Демина, Ю.~М.~Кузнецов
\paper Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 101--103
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5619}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46995.8884}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476636}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 96--98
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619010214}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5619
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p101
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024