|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана
А. А. Свинцовa, Е. Б. Якимовab, М. В. Дорохинc, П. Б. Деминаc, Ю. М. Кузнецовc a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Проведено моделирование $\beta$-вольтаических элементов питания, представляющих собой объединенные источник и преобразователь $\beta$-частиц. В качестве источника использовано соединение TiT$_{2}$, содержащее радиоактивный изотоп трития. В качестве преобразователя рассмотрены структуры на основе полупроводниковых материалов, наиболее часто использующихся при разработке элементов питания на $\beta$-вольтаическом эффекте: Si, SiC, GaAs. С применением метода Монте-Карло рассчитаны основные параметры источников, в частности, выполнены оценки предельно достижимого значения тока короткого замыкания.
Поступила в редакцию: 10.04.2018 Исправленный вариант: 17.04.2018
Образец цитирования:
А. А. Свинцов, Е. Б. Якимов, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, Ю. М. Кузнецов, “Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 101–103; Semiconductors, 53:1 (2019), 96–98
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5619 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p101
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 51 | PDF полного текста: | 17 |
|