|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, В. В. Федоров, И. В. Штром, А. Д. Большаков, “Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 969–972   ; N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. V. Fedorov, I. V. Shtrom, A. D. Bolshakov, “Parameter-free model of self-catalyzed growth of Ga(As, P) nanowires”, Semiconductors, 56:1 (2022), 14–17 |
2
|
|
2020 |
| 2. |
А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, А. А. Рыжов, В. В. Данилов, И. В. Штром, К. П. Котляр, П. А. Алексеев, А. Н. Смирнов, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 128–133 ; A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, A. A. Ryzhov, V. V. Danilov, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, P. A. Alekseev, A. N. Smirnov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, “Nonlinear bleaching of InAs nanowires in the visible range”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 125–130 |
| 3. |
А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Е. С. Громова, И. Д. Скурлов, А. П. Литвин, Р. Р. Резник, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, “Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 952–957 ; A. I. Khrebtov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, E. S. Gromova, I. D. Skurlov, A. P. Litvin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, G. E. Cirlin, “Luminescence photodynamics of hybrid-structured InP/InAsP/InP nanowires passivated by a layer of ТОРО-CdSe/ZnS quantum dots”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1141–1146 |
7
|
| 4. |
V. G. Dubrovskii, R. R. Reznik, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Shtrom, E. D. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, “MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 542 ; Semiconductors, 54:6 (2020), 650–653 |
2
|
| 5. |
В. Г. Дубровский, И. В. Штром, “Кинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 46:20 (2020), 15–18 ; V. G. Dubrovskii, I. V. Shtrom, “Growth kinetics of planar nanowires”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 1008–1011 |
| 6. |
В. Г. Дубровский, А. С. Соколовский, И. В. Штром, “Свободная энергия образования зародыша при росте III–V нитевидного нанокристалла”, Письма в ЖТФ, 46:18 (2020), 3–6 ; V. G. Dubrovskii, A. S. Sokolovskii, I. V. Shtrom, “Free energy of nucleus formation during growth of III–V semiconductor nanowires”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 889–892 |
1
|
|
2019 |
| 7. |
Н. Р. Григорьева, И. В. Штром, Р. В. Григорьев, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, Н. В. Сибирев, Г. Э. Цырлин, “Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 37–40 ; N. R. Grigor'eva, I. V. Shtrom, R. V. Grigor'ev, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, “The influence of EL2 centers on the photoelectric response of an array of radial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 835–838 |
| 8. |
Н. В. Сибирев, H. Huang, Е. В. Убыйвовк, R. Lv, D. Zhao, Q. Guang, Ю. С. Бердников, X. Yan, А. А. Корякин, И. В. Штром, “Рост нанотрубок и нитевидных нанокристаллов GaN с катализатором Au–Ni”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 38–41 ; N. V. Sibirev, H. Huang, E. V. Ubyivovk, R. Lv, D. Zhao, Q. Guang, Yu. S. Berdnikov, X. Yan, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, “Growth of GaN nanotubes and nanowires on Au–Ni catalysts”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 159–162 |
1
|
|
2018 |
| 9. |
Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1464–1468 ; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 |
4
|
| 10. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, И. В. Штром, А. Д. Буравлев, “Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1425–1429 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, “Features of the initial stage of GaN growth on Si(111) substrates by nitrogen-plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1529–1533 |
17
|
| 11. |
I. V. Shtrom, N. G. Filosofov, V. F. Agekyan, M. B. Smirnov, A. Yu. Serov, R. R. Reznik, K. E. Kudryavtsev, G. E. Cirlin, “Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 509 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 602–604 |
| 12. |
I. V. Shtrom, V. F. Agekyan, A. Yu. Serov, N. G. Filosofov, R. R. Akhmadullin, D. E. Krizhkov, G. Karczewski, “Luminescence of ZnMnTe/ZnMgTe heterostructures with monolayer manganese inclusions in ZnTe quantum wells and its behavior in a magnetic field”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 481 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 514–518 |
2
|
| 13. |
G. E. Cirlin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, S. A. Kukushkin, T. Kasama, N. Akopian, “Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 469 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 462–464 |
10
|
| 14. |
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 5–9 ; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si(111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 |
| 15. |
Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 55–61 ; R. R. Reznik, G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Coherent growth of InP/InAsP/InP nanowires on a Si (111) surface by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114 |
12
|
|
2017 |
| 16. |
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1587 ; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si (111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 |
| 17. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Штром, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1525–1529 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Shtrom, I. P. Sotnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1472–1476 |
1
|
|
2016 |
| 18. |
И. П. Сошников, А. А. Семенов, П. Ю. Белявский, И. В. Штром, К. П. Котляр, В. В. Лисак, Д. А. Кудряшов, С. И. Павлов, А. В. Нащекин, Г. Э. Цырлин, “Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2314–2318 ; I. P. Sotnikov, A. A. Semenov, P. Yu. Belyavskii, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, V. V. Lisak, D. A. Kudriashov, S. I. Pavlov, A. V. Nashchekin, G. E. Cirlin, “Fabrication of the structures with autocatalytic CdTe nanowires using magnetron sputtering deposition”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2401–2405 |
2
|
| 19. |
В. Ф. Агекян, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, И. В. Штром, Г. Карчевски, “Оптические свойства теллурида цинка с субмонослоями теллурида кадмия”, Физика твердого тела, 58:10 (2016), 2034–2037 ; V. F. Agekyan, A. Yu. Serov, N. G. Filosofov, I. V. Shtrom, G. Karczewski, “Optical properties of zinc telluride with cadmium telluride submonolayers”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 2109–2112 |
3
|
| 20. |
И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1644–1646 ; I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1619–1621 |
1
|
| 21. |
Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, И. П. Сошников, “Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1441–1444 ; G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, I. P. Sotnikov, “Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1421–1424 |
15
|
|
Обратная связь: