Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 11, страницы 969–972
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51548.44 (Mi phts4929) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)

Н. В. Сибиревab, Ю. С. Бердниковac, В. В. Федоровb, И. В. Штромad, А. Д. Большаковab

a Санкт-Петербургский государственный университет
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (103 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51548.44
Аннотация: Предложена модель для расчета состава самокаталитических нитевидных нанокристаллов, не содержащая подгоночных параметров. Показано, что состав нитевидных нанокристаллов Ga(As, P) не зависит от скорости роста при фиксированном отношении суммарных потоков атомов V и III групп. Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментально наблюдаемой зависимостью состава нитевидных нанокристаллов от соотношения потоков атомов As и P.
Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы Ga(As, P), молекулярно-пучковая эпитаксия, самокаталитический рост, количественный расчет состава.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 20-72-10192
Санкт-Петербургский государственный университет 75746688
Министерство образования и науки Российской Федерации
Изготовление образцов ННК было выполнено при поддержке в рамках гранта РНФ 20-72-10192. Диагностика образцов была проведена при поддержке грантом Санкт-Петербургского университета № 75746688. Ю.С.Б. благодарит ВШЭ за поддержку исследований в рамках Программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ в 2021 году.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2022, Volume 56, Issue 1, Pages 14–17
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782622010134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, В. В. Федоров, И. В. Штром, А. Д. Большаков, “Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 969–972; Semiconductors, 56:1 (2022), 14–17
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SibBerFed21}
\by Н.~В.~Сибирев, Ю.~С.~Бердников, В.~В.~Федоров, И.~В.~Штром, А.~Д.~Большаков
\paper Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 11
\pages 969--972
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4929}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51548.44}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46668663}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2022
\vol 56
\issue 1
\pages 14--17
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782622010134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4929
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i11/p969
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:85
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024