|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. П. Михайлова, А. П. Дмитриев, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 995–1010   |
| 2. |
И. В. Кочман, М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер, Р. В. Парфеньев, “Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 313–318 |
|
2020 |
| 3. |
М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, К. В. Калинина, Ю. П. Яковлев, П. С. Копьев, “Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1267–1288 ; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, K. V. Kalinina, Yu. P. Yakovlev, P. S. Kop'ev, “Radiative recombination and impact ionization in semiconductor nanostructures (review)”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1527–1547 |
2
|
|
2019 |
| 4. |
М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 291–308 ; M. P. Mikhailova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, “Discovery of III–V semiconductors: physical properties and application”, Semiconductors, 53:3 (2019), 273–290 |
26
|
| 5. |
М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, Р. В. Левин, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 50–54 ; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, R. V. Levin, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence in $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructures with a single quantum well grown by MOVPE”, Semiconductors, 53:1 (2019), 46–50 |
1
|
|
2018 |
| 6. |
М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Л. В. Данилов, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Н. Д. Ильинская, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Ю. П. Яковлев, “Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 906–911 ; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, L. V. Danilov, E. V. Ivanov, E. V. Kunitsyna, N. D. Il'inskaya, R. V. Levin, B. V. Pushnii, Yu. P. Yakovlev, “Photoconductivity amplification in a type-II $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructure with a single QW”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1037–1042 |
1
|
|
2017 |
| 7. |
М. П. Михайлова, В. А. Березовец, Р. В. Парфеньев, Л. В. Данилов, М. О. Сафончик, A. Hospodková, J. Pangrác, E. Hulicius, “Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1393–1399 ; M. P. Mikhailova, V. A. Berezotets, R. V. Parfen'ev, L. V. Danilov, M. O. Safonchik, A. Hospodková, J. Pangrác, E. Hulicius, “Vertical transport in type-II heterojunctions with InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells in a high magnetic field”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1343–1349 |
2
|
| 8. |
Л. В. Данилов, М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Зегря, “Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1196–1201 ; L. V. Danilov, M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Zegrya, “Effect of electrostatic shielding on the photoelectric properties of heterostructures with deep QWs”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1148–1152 |
2
|
| 9. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Семакова, М. П. Михайлова, Н. Д. Стоянов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, А. П. Астахова, А. В. Черняев, H. Lipsanen, В. Е. Бугров, “Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 247–252 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Semakova, M. P. Mikhailova, N. D. Stoyanov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, A. P. Astakhova, A. V. Chernyaev, H. Lipsanen, V. E. Bugrov, “Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K”, Semiconductors, 51:2 (2017), 239–244 |
5
|
|
2016 |
| 10. |
Л. В. Данилов, А. А. Петухов, М. П. Михайлова, Г. Г. Зегря, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 794–800 ; L. V. Danilov, A. A. Petukhov, M. P. Mikhailova, G. G. Zegrya, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Features of high-temperature electroluminescence in an LED $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb heterostructure with high potential barriers”, Semiconductors, 50:6 (2016), 778–784 |
3
|
|
|
|
2018 |
| 11. |
L. V. Danilov, M. P. Mikhailova, R. V. Levin, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, I. A. Andreev, B. V. Pushnyi, G. G. Zegrya, “Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 476 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 493–496 |
1
|
|
Обратная связь: