Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами

Работа посвящена теоретическому исследованию влияния электростатического потенциала, индуцированного носителями заряда одного знака, локализованными в глубокой квантовой яме, на вольт-амперные характеристики фотоприемных гетероструктур. На примере $p$–$i$–$n$-структуры с одиночной глубокой квантовой ямой для электронов, находящейся в $i$-области, показано, что экранирование внешнего приложенного электрического поля приводит к увеличению дифференциальной фотопроводимости такой гетероструктуры по сравнению с $p$–$i$–$n$-структурой без промежуточного двумерного слоя.