|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами
Л. В. Данилов, М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Зегря Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Работа посвящена теоретическому исследованию влияния электростатического потенциала, индуцированного носителями заряда одного знака, локализованными в глубокой квантовой яме, на вольт-амперные характеристики фотоприемных гетероструктур. На примере $p$–$i$–$n$-структуры с одиночной глубокой квантовой ямой для электронов, находящейся в $i$-области, показано, что экранирование внешнего приложенного электрического поля приводит к увеличению дифференциальной фотопроводимости такой гетероструктуры по сравнению с $p$–$i$–$n$-структурой без промежуточного двумерного слоя.
Поступила в редакцию: 06.02.2017 Принята в печать: 14.02.2017
Образец цитирования:
Л. В. Данилов, М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Зегря, “Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1196–1201; Semiconductors, 51:9 (2017), 1148–1152
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6039 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i9/p1196
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 10 |
|