|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле
М. П. Михайловаa, В. А. Березовецab, Р. В. Парфеньевa, Л. В. Даниловa, М. О. Сафончикa, A. Hospodková, J. Pangrác, E. Hulicius a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclaw, Wroclaw, Poland
Аннотация:
Вертикальный транспорт исследован в гетеропереходах II типа с двухбарьерной квантовой ямой AlSb/InAs/GaSb/AlSb, выращенной методом МОГФЭ (MOVPE) на подложке $n$-InAs(100), в квантующих магнитных полях до $B$ = 14 Тл при низких температурах, $T$ = 1.5 и 4.2 K. Ширина квантовых ям выбиралась из условия получения инвертированной зонной структуры. Измерения осцилляций Шубникова–де-Гааза проводились при двух ориентациях магнитного поля (перпендикулярной и параллельной) относительно плоскости структуры. Установлено, что проводимость в исследуемой структуре осуществлялась как трехмерными (3D) электронами подложки, так и двумерными (2D) электронами квантовой ямы InAs в условиях квантового предела для объемных электронов ($B>$ 5 Tл). Определены концентрации электронов в подложке и в квантовой яме InAs, а также $g$-фактор для трехмерных носителей из спинового расщепления нулевого уровня Ландау. Показано, что максимумы кондактанса в магнитном поле, перпендикулярном плоскости структуры и параллельном току через структуру, в полях $B>$ 9 Тл соответствуют резонансному туннелированию 3D электронов из подложки-эмиттера в квантовую яму InAs через 2D электронные состояния уровней Ландау.
Поступила в редакцию: 03.04.2017 Принята в печать: 10.04.2017
Образец цитирования:
М. П. Михайлова, В. А. Березовец, Р. В. Парфеньев, Л. В. Данилов, М. О. Сафончик, A. Hospodková, J. Pangrác, E. Hulicius, “Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1393–1399; Semiconductors, 51:10 (2017), 1343–1349
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6024 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1393
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 17 |
|