|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
П. А. Иванов, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, М. Ф. Кудояров, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, Ю. М. Задиранов, “Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 188–194   ; P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, M. F. Kudoyarov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, Yu. M. Zadiranov, “High-voltage 4$H$-SiC Schottky diodes with field-plate edge termination”, Semiconductors, 55:2 (2021), 243–249 |
2
|
| 2. |
П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, “Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 48–50 ; P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, “High-voltage avalanche 4$H$-SiC diodes with a protective semi-insulating area”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 275–277 |
1
|
| 3. |
М. В. Ильясова, А. Е. Шевелев, Е. М. Хилькевич, И. Н. Чугунов, Д. Н. Дойников, М. Ф. Кудояров, В. О. Найденов, И. А. Полуновский, “Измерения спектров гамма- и нейтронного излучения в ядерных реакциях с ионами $^{3}$He и $^{9}$Be”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 3–6 ; M. V. Iliasova, A. E. Shevelev, E. M. Khilkevich, I. N. Chugunov, D. N. Doinikov, M. F. Kudoyarov, V. O. Naidenov, I. A. Polunovsky, “Measurements of $\gamma$- and neutron-radiation spectra in nuclear reactions with $^{3}$He and $^{9}$Be ions”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 103–106 |
|
2020 |
| 4. |
Е. В. Калинина, М. Ф. Кудояров, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4$H$-SiC-детекторов, облученных ионами аргона”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1244–1248 ; E. V. Kalinina, M. F. Kudoyarov, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Structural and optical characteristics of 4$H$-SiC UV detectors irradiated with argon ions”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1478–1482 |
1
|
|
2019 |
| 5. |
П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Коррекция характеристик обратного восстановления высоковольтных инжекционных 4$H$-SiC диодов с помощью протонного облучения”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 862–864 ; P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Correction of the reverse recovery characteristics of high-voltage 4$H$-SiC junction diodes using proton irradiation”, Semiconductors, 53:6 (2019), 850–852 |
1
|
| 6. |
Н. Н. Аруев, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, М. Я. Патрова, П. А. Романов, Р. В. Тюкальцев, И. Л. Федичкин, С. В. Филиппов, “Исследование состава остаточного газа в вакуумной системе циклотрона ФТИ им. А.Ф. Иоффе”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 30–32 ; N. N. Aruev, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, M. Ya. Patrova, P. A. Romanov, R. V. Tyukal'tsev, I. L. Fedichkin, S. V. Filippov, “A study of the residual gas composition in the vacuum system of the cyclotron of the Ioffe Physical Technical Institute”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 827–830 |
1
|
|
2018 |
| 7. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, М. Ф. Кудояров, Т. П. Самсонова, “Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1187–1190 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, M. F. Kudoyarov, T. P. Samsonova, “Effect of low-dose proton irradiation on the electrical characteristics of 4$H$-SiC junction diodes”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1307–1310 |
3
|
| 8. |
В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 804–811 ; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 |
3
|
| 9. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, Т. П. Самсонова, “Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения $n$-SiC высокоэнергетическими ионами аргона”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 11–16 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, M. F. Kudoyarov, M. A. Kozlovskii, T. P. Samsonova, “The influence of heat treatment on the electrical characteristics of semi-insulating sic layers obtained by irradiating $n$-SiC with high-energy argon ions”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 229–231 |
5
|
|
2017 |
| 10. |
А. П. Возняковский, В. Х. Кудоярова, М. Ф. Кудояров, М. Я. Патрова, “Процессы самоорганизации в полисилоксановых блок-сополимерах, инициируемые модифицирующими добавками фуллерена”, Физика твердого тела, 59:8 (2017), 1632–1637 ; A. P. Voznyakovskii, V. Kh. Kudoyarova, M. F. Kudoyarov, M. Ya. Patrova, “Self-organization processes in polysiloxane block copolymers, initiated by modifying fullerene additives”, Phys. Solid State, 59:8 (2017), 1656–1661 |
1
|
|
2016 |
| 11. |
П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 937–940 ; P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, M. A. Kozlovskii, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, “Semi-insulating 4$H$-SiC layers formed by the implantation of high-energy (53 MeV) argon ions into $n$-type epitaxial films”, Semiconductors, 50:7 (2016), 920–923 |
6
|
| 12. |
В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский, “Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 39–46 ; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 |
2
|
| 13. |
М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, М. Я. Патрова, И. Л. Потокин, А. В. Анкудинов, “Трековые мембраны на основе пленки из полиэтилентерефталата толщиной 20 $\mu$m, полученные на пучке ионов аргона с пробегом меньше толщины пленки”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 87–95 ; M. F. Kudoyarov, M. A. Kozlovskii, M. Ya. Patrova, I. L. Potokin, A. V. Ankudinov, “Track membranes based on a 20-$\mu$m-thick polyethylene terephthalate film obtained with a beam of argon ions having a range shorter than the film thickness”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 704–707 |
1
|
|
Обратная связь: