|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4$H$-SiC
П. А. Иванов, А. С. Потапов, М. Ф. Кудояров, Т. П. Самсонова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследовано влияние низкодозного протонного облучения (доза облучения 10$^{10}$–1.8 $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$) на вольт-фарадные характеристики, прямые вольт-амперные характеристики и характеристики обратного восстановления высоковольтных диодов с $p$–$n_o$-переходом на основе 4$H$-SiC. Облучение проводилось протонами с энергией 1.8 МэВ через никелевую пленку толщиной 10 мкм (энергия протонов и толщина Ni пленки выбирались так, чтобы пробег протонов в карбиде кремния приблизительно равнялся глубине залегания $p$–$n_o$-перехода). Показано, что протонное облучение в указанных дозах: 1) не вызывает сколько-нибудь заметного уменьшения концентрации основных носителей в диодах; 2) кардинально уменьшает время жизни неравновесных носителей при низком уровне инжекции (в десятки раз при максимальной дозе облучения); 3) уменьшает заряд обратного восстановления диодов при высоком уровне инжекции (до трех раз при максимальной дозе облучения).
Поступила в редакцию: 12.03.2018 Принята в печать: 22.03.2018
Образец цитирования:
П. А. Иванов, А. С. Потапов, М. Ф. Кудояров, Т. П. Самсонова, “Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1187–1190; Semiconductors, 52:10 (2018), 1307–1310
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5713 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i10/p1187
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 27 | PDF полного текста: | 9 |
|