|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 937–940
(Mi phts6416)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости
П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Показана возможность формирования в умеренно легированном карбиде кремния $n$-типа проводимости (концентрация доноров 2 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$) приповерхностных полуизолирующих слоев толщиной 9 мкм с помощью относительно низкодозной (7 $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$) имплантации высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона. Скорость удаления свободных носителей оценивается величиной $\sim$10$^{4}$ см$^{-1}$. Удельное сопротивление полуизолятора составляет не менее 7 $\cdot$ 10$^{12}$ Ом $\cdot$ см. Анализ тока монополярной инжекции электронов в полуизолятор показал, что за компенсацию примесной проводимости ответственны радиационные дефекты, закрепляющие равновесный уровень Ферми на глубине 1.16 эВ ниже дна зоны проводимости. Энергетическая плотность дефектов на уровне Ферми составляет 2.7 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{2}$ $\cdot$ эВ$^{-1}$.
Поступила в редакцию: 16.12.2015 Принята в печать: 24.12.2015
Образец цитирования:
П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 937–940; Semiconductors, 50:7 (2016), 920–923
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6416 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i7/p937
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 18 |
|