Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 937–940 (Mi phts6416)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости

П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Показана возможность формирования в умеренно легированном карбиде кремния $n$-типа проводимости (концентрация доноров 2 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$) приповерхностных полуизолирующих слоев толщиной 9 мкм с помощью относительно низкодозной (7 $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$) имплантации высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона. Скорость удаления свободных носителей оценивается величиной $\sim$10$^{4}$ см$^{-1}$. Удельное сопротивление полуизолятора составляет не менее 7 $\cdot$ 10$^{12}$ Ом $\cdot$ см. Анализ тока монополярной инжекции электронов в полуизолятор показал, что за компенсацию примесной проводимости ответственны радиационные дефекты, закрепляющие равновесный уровень Ферми на глубине 1.16 эВ ниже дна зоны проводимости. Энергетическая плотность дефектов на уровне Ферми составляет 2.7 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{2}$ $\cdot$ эВ$^{-1}$.
Поступила в редакцию: 16.12.2015
Принята в печать: 24.12.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 7, Pages 920–923
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616070071
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, М. А. Козловский, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, “Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 937–940; Semiconductors, 50:7 (2016), 920–923
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaKudKoz16}
\by П.~А.~Иванов, М.~Ф.~Кудояров, М.~А.~Козловский, А.~С.~Потапов, Т.~П.~Самсонова
\paper Полуизолирующие слои 4$H$-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки $n$-типа проводимости
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 937--940
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6416}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368939}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 920--923
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616070071}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6416
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i7/p937
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024