|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. В. Кандаков, Е. В. Осипова, К. П. Котляр, Е. В. Убыйвовк, “Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 363–369   ; S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. V. Kandakov, E. V. Osipova, K. P. Kotlyar, E. V. Ubyivovk, “Self-organization of the composition of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N films grown on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 442–448 |
8
|
| 2. |
А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Механические свойства композитного покрытия SiC на графите, полученного методом замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 7–10 |
| 3. |
Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 3–6 |
3
|
| 4. |
Н. А. Черкашин, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. М. Устинов, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 15–18 ; N. A. Cherkashin, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, V. V. Lundin, S. O. Usov, V. M. Ustinov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. F. Tsatsul'nikov, “Peculiarities of epitaxial growth of III – N led heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 753–756 |
6
|
| 5. |
Л. И. Гузилова, А. С. Гращенко, П. Н. Бутенко, А. В. Чикиряка, А. И. Печников, В. И. Николаев, “Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 3–7 ; L. I. Guzilova, A. S. Grashchenko, P. N. Butenko, A. V. Chikiryaka, A. I. Pechnikov, V. I. Nikolaev, “Mechanical properties of epilayers of metastable $\alpha$- and $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$ phases studied by nanoindentation”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 709–713 |
4
|
|
2020 |
| 6. |
А. С. Гращенко, А. С. Кукушкин, А. В. Осипов, “Покрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC”, Письма в ЖТФ, 46:20 (2020), 19–22 ; A. S. Grashchenko, A. S. Kukushkin, A. V. Osipov, “Coating of nanostructured profiled Si surface with a SiC layer”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 1012–1015 |
2
|
| 7. |
А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. Н. Горляк, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, А. В. Марков, М. Ф. Панов, С. А. Кукушкин, “Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 36–38 ; A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, V. V. Luchinin, A. V. Markov, M. F. Panov, S. A. Kukushkin, “Investigation of the hardness and Young's modulus in thin near-surface layers of silicon carbide from the Si- and C-faces by nanoindentation”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 763–766 |
7
|
|
2019 |
| 8. |
А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2313–2315 ; A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Study of elastic properties of SiC films synthesized on Si substrates by the method of atomic substitution”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2310–2312 |
4
|
| 9. |
А. В. Редьков, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, К. П. Котляр, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, И. П. Сошников, “Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 433–440 ; A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, K. P. Kotlyar, A. I. Lihachev, A. V. Nashchekin, I. P. Soshnikov, “Studying evolution of the ensemble of micropores in a SiC/Si structure during its growth by the method of atom substitution”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 299–306 |
15
|
| 10. |
С. А. Кукушкин, А. М. Мизеров, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, С. Н. Тимошнев, А. Д. Буравлев, М. С. Соболев, “Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 190–198 ; S. A. Kukushkin, A. M. Mizerov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, S. N. Timoshnev, A. D. Bouravlev, M. S. Sobolev, “Photoelectric properties of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 180–187 |
4
|
| 11. |
Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, А. В. Редьков, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, “Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 24–27 ; Sh. Sh. Sharofidinov, S. A. Kukushkin, A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, “Growing III–V semiconductor heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 711–713 |
16
|
|
2018 |
| 12. |
А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, И. П. Сошников, “Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 851–856 ; A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, I. P. Soshnikov, “Study of the anisotropic elastoplastic properties of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ films synthesized on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 852–857 |
25
|
|
2017 |
| 13. |
А. С. Гращенко, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, Е. В. Калинина, С. А. Кукушкин, “Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 651–658 ; A. S. Grashchenko, N. A. Feoktistov, A. V. Osipov, E. V. Kalinina, S. A. Kukushkin, “Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice”, Semiconductors, 51:5 (2017), 621–627 |
10
|
|
Обратная связь: