|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования
Л. И. Гузиловаa, А. С. Гращенкоb, П. Н. Бутенкоa, А. В. Чикирякаa, А. И. Печниковa, В. И. Николаевa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследовано сопротивление деформированию и трещинообразованию в эпитаксиальных слоях метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon(\kappa)$-политипов оксида галлия (Ga$_{2}$O$_{3}$), выращенных на сапфировых подложках, при их наноиндентировании. Для $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ (0001) и $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_{2}$O$_{3}$ (001) определены значения твердости $H$ (18.7 и 17.5 GPa соответственно) и модуля Юнга $E$ (283.4 и 256.1 GPa соответственно). Установлено, что для $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_{2}$O$_{3}$ коэффициент интенсивности напряжений (характеристика трещиностойкости) K$_{1c}$ $\sim$ 0.67 MPa $\cdot$ m$^{1/2}$, для $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ K$_{1c}$ $\sim$ 0.70 MPa $\cdot$ m$^{1/2}$.
Ключевые слова:
оксид галлия, эпитаксиальные слои, наноиндентирование, механические свойства.
Поступила в редакцию: 03.03.2021 Исправленный вариант: 06.04.2021 Принята в печать: 07.04.2021
Образец цитирования:
Л. И. Гузилова, А. С. Гращенко, П. Н. Бутенко, А. В. Чикиряка, А. И. Печников, В. И. Николаев, “Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 3–7; Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 709–713
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4727 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i14/p3
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 18 |
|