Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 14, страницы 3–7
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.14.51177.18751
(Mi pjtf4727)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования

Л. И. Гузиловаa, А. С. Гращенкоb, П. Н. Бутенкоa, А. В. Чикирякаa, А. И. Печниковa, В. И. Николаевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследовано сопротивление деформированию и трещинообразованию в эпитаксиальных слоях метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon(\kappa)$-политипов оксида галлия (Ga$_{2}$O$_{3}$), выращенных на сапфировых подложках, при их наноиндентировании. Для $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ (0001) и $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_{2}$O$_{3}$ (001) определены значения твердости $H$ (18.7 и 17.5 GPa соответственно) и модуля Юнга $E$ (283.4 и 256.1 GPa соответственно). Установлено, что для $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_{2}$O$_{3}$ коэффициент интенсивности напряжений (характеристика трещиностойкости) K$_{1c}$ $\sim$ 0.67 MPa $\cdot$ m$^{1/2}$, для $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ K$_{1c}$ $\sim$ 0.70 MPa $\cdot$ m$^{1/2}$.
Ключевые слова: оксид галлия, эпитаксиальные слои, наноиндентирование, механические свойства.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0040-2014-0007
АААА-А18-118012790011-3
Л.И. Гузилова, П.Н. Бутенко, А.В. Чикиряка, А.И. Печников, В.И. Николаев выполняли свою часть работы в рамках темы “Фундаментальные проблемы физики и химии наноструктурированных и нанокомпозитных материалов и приборных структур, физические свойства монокристаллических и неупорядоченных материалов” госзадания № 0040-2014-0007. А.С. Гращенко выполнял свою часть работы в рамках госзадания ФГУП ИПМаш РАН № АААА-А18-118012790011-3.
Поступила в редакцию: 03.03.2021
Исправленный вариант: 06.04.2021
Принята в печать: 07.04.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 10, Pages 709–713
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378502107021X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. И. Гузилова, А. С. Гращенко, П. Н. Бутенко, А. В. Чикиряка, А. И. Печников, В. И. Николаев, “Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 3–7; Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 709–713
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GuzGraBut21}
\by Л.~И.~Гузилова, А.~С.~Гращенко, П.~Н.~Бутенко, А.~В.~Чикиряка, А.~И.~Печников, В.~И.~Николаев
\paper Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных $\alpha$- и $\varepsilon$-фаз Ga$_{2}$O$_{3}$ методом наноиндентирования
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 14
\pages 3--7
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4727}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.14.51177.18751}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46333462}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 10
\pages 709--713
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378502107021X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4727
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i14/p3
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024