Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 20, страницы 19–22
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50150.18447 (Mi pjtf4961) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Покрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC

А. С. Гращенкоa, А. С. Кукушкинab, А. В. Осиповa

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (821 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50150.18447
Аннотация: Разработан метод покрытия профилированной поверхности Si слоем SiC, полностью сохраняющим исходную морфологию поверхности Si. Определены условия синтеза SiC, при которых исходный профиль поверхности Si трансформируется в профиль, покрытый слоем SiC без геометрических искажений. Экспериментально доказано, что критической температурой синтеза, при которой происходит формирование данного покрытия, является температура, равная 1050$^\circ$C.
Ключевые слова: карбид кремния, метод замещения атомов, профилированный кремний, полуполярный нитрид алюминия, полуполярный нитрид галлия, защитные покрытия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации АААА-А18-118012790011-3
Работа выполнена в рамках госзадания ФГУП ИПМаш РАН № АААА-А18-118012790011-3.
Поступила в редакцию: 30.06.2020
Исправленный вариант: 15.07.2020
Принята в печать: 15.07.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 10, Pages 1012–1015
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020100235
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Гращенко, А. С. Кукушкин, А. В. Осипов, “Покрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC”, Письма в ЖТФ, 46:20 (2020), 19–22; Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 1012–1015
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GraKukOsi20}
\by А.~С.~Гращенко, А.~С.~Кукушкин, А.~В.~Осипов
\paper Покрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 20
\pages 19--22
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4961}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50150.18447}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44258637}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 10
\pages 1012--1015
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020100235}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4961
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i20/p19
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024