Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Хвостиков Владимир Петрович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 35
Научных статей: 35

Статистика просмотров:
Эта страница:92
Страницы публикаций:1456
Полные тексты:540
доктор физико-математических наук (2003)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)

Научная биография:

Хвостиков, Владимир Петрович. Разработка метода низкотемпературной жидкофазной эпитаксии $AlGaAs$ гетероструктур с квантоворазмерными слоями : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1991. - 104 с. : ил.

Хвостиков, Владимир Петрович. Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $A^{III}B^V$ - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 2003. - 245 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person161145
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=20529

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. Н. С. Потапович, М. В. Нахимович, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1091–1094  mathnet  elib
2. В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  956–959  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, M. V. Nakhimovich, M. Z. Shvarts, “GaSb-based thermophotovoltaic converters of IR selective emitter radiation”, Semiconductors, 55:11 (2021), 840–843 4
2020
3. Н. С. Потапович, Н. Ю. Давидюк, В. Р. Ларионов, В. П. Хвостиков, “Исследование влияния вторичных объемных концентраторов на выходные параметры фотоэлектрических модулей”, ЖТФ, 90:12 (2020),  2118–2122  mathnet  elib; N. S. Potapovich, N. Yu. Daviduk, V. R. Larionov, V. P. Khvostikov, “An investigation of the influence of secondary optical elements on the output parameters of photovoltaic modules”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 2026–2030 2
4. В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, “Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения”, ЖТФ, 90:10 (2020),  1764–1768  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, “Laser power converter modules with a wavelength of 809–850 nm”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1690–1694
2019
5. В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, “Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1135–1139  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. S. Potapovich, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, “Module of laser-radiation ($\lambda$ = 1064 nm) photovoltaic converters”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1110–1113 5
6. В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, В. М. Андреев, “Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  30–33  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, V. M. Andreev, “Tritium power supply sources based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1197–1199 8
7. А. В. Малевская, В. П. Хвостиков, Ф. Ю. Солдатенков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019),  12–15  mathnet  elib; A. V. Malevskaya, V. P. Khvostikov, F. Yu. Soldatenkov, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “A study of ohmic contacts of power photovoltaic converters”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1198–1200 3
2018
8. В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “AlGaAs/GaAs photovoltaic converters of tritium radioluminescent-lamp radiation”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757 9
9. В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Н. Х. Тимошина, Б. В. Пушный, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1641–1646  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, R. V. Levin, A. E. Marichev, N. Kh. Timoshina, B. V. Pushnii, “GaInAsP/InP-based laser power converters ($\lambda$ = 1064 nm)”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1748–1753 10
10. В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, “Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  385–389  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, “Modification of photovoltaic laser-power ($\lambda$ = 808 nm) converters grown by LPE”, Semiconductors, 52:3 (2018), 366–370 16
11. Н. С. Потапович, Н. Х. Тимошина, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  31–38  mathnet  elib; N. S. Potapovich, N. Kh. Timoshina, V. P. Khvostikov, “Photovoltaic laser-power converters based on LPE-grown InP(GaAs)/InP heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 820–822 1
12. В. П. Хвостиков, П. В. Покровский, О. А. Хвостикова, А. Н. Паньчак, В. М. Андреев, “Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  42–48  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, P. V. Pokrovskii, O. A. Khvostikova, A. N. Panchak, V. M. Andreev, “High-efficiency AlGaAs/GaAs photovoltaic converters with edge input of laser light”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 776–778 6
2017
13. В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, “Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  676–679  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, “Laser ($\lambda$ = 809 nm) power converter based on GaAs”, Semiconductors, 51:5 (2017), 645–648 17
2016
14. В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1358–1362  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, R. V. Levin, B. V. Pushnii, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “GaSb laser-power ($\lambda$ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1338–1343 9
15. В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, В. М. Емельянов, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246  mathnet  elib; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, V. M. Emelyanov, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1220–1224 42
16. В. М. Емельянов, С. В. Сорокина, В. П. Хвостиков, М. З. Шварц, “Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  132–137  mathnet  elib; V. M. Emelyanov, S. V. Sorokina, V. P. Khvostikov, M. Z. Shvarts, “Simulation of the characteristics of InGaAs/InP-based photovoltaic laser-power converters”, Semiconductors, 50:1 (2016), 132–137 6
17. В. М. Емельянов, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, В. П. Хвостиков, М. З. Шварц, “Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  125–131  mathnet  elib; V. M. Emelyanov, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, V. P. Khvostikov, M. Z. Shvarts, “Simulation of the ohmic loss in photovoltaic laser-power converters for wavelengths of 809 and 1064 nm”, Semiconductors, 50:1 (2016), 125–131 15
1992
18. А. Б. Казанцев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Е. М. Танклевская, В. П. Хвостиков, “Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1666–1668  mathnet
19. А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков, “Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  614–628  mathnet
1991
20. В. М. Андреев, А. Б. Казанцев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Низкопороговые ($\text{In}=2.0$ мА, 300 K) высокоэффективные ($\eta_{\text{ext}}=68$%) AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом НТ ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 17:5 (1991),  1–5  mathnet  isi
1990
21. В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, А. Б. Казанцев, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, Е. М. Танклевская, В. П. Хвостиков, “Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730$-$850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1757–1761  mathnet
22. А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков, “Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1539–1549  mathnet
23. В. М. Андреев, B. C. Калиновский, В. Р. Ларионов, М. М. Миланова, К. Я. Расулов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Фотопреобразователи на основе AlGaAs$-$GaAs гетероструктур для сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений”, Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  56–59  mathnet  isi
24. В. Б. Афанасьев, С. А. Гуревич, А. Л. 3акгейм, Ю. А. Лифшиц, В. М. Марахонов, В. П. Хвостиков, И. Э. Чебунина, Б. С. Явич, “Быстродействующая оптоэлектронная интегральная схема «инжекционный лазер — полевой транзистор» на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  70–74  mathnet  isi
25. В. М. Андреев, В. Р. Ларионов, A. M. Минтаиров, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, К. Е. Смекалин, В. П. Хвостиков, “Исследование распределения состава в AlGaAs гетероструктурах с квантоворазмерными слоями методом комбинационного рассеяния света”, Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  7–12  mathnet  isi
1989
26. В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, К. Я. Расулов, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические свойства AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким «широкозонным окном»”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  597–600  mathnet
27. Ж. И. Алфров, И. Л. Алейнер, В. М. Андреев, B. C. Калиновский, Г. Л. Сандлер, Р. П. Сейсян, А. А. Торопов, Т. В. Шубина, В. П. Хвостиков, “Полупроводниковый лазер с встроенным экситонным штарковским модулятором добротности на основе AlGaAs ДГС с одиночной квантовой ямой GaAs”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  20–24  mathnet  isi
1988
28. Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1775–1779  mathnet
29. Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, Т. Н. Налет, Нгуен ТханьФыонг, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Квантово-размерные полосковые AlGaAs-гетеролазеры миллиамперного диапазона токов ($I_{n}=2.1$ мА, $T=300$ K), полученные методом низкотемпературной ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2057–2060  mathnet  isi 1
30. Р. П. Сейсян, А. А. Торопов, В. Р. Ларионов, В. П. Хвостиков, Т. В. Шубина, И. Л. Алейнер, “Электропоглощение при волноводном прохождении света через двойную гетероструктуру AlGaAs с квантоворазмерным слоем”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1548–1552  mathnet  isi
31. Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, В. Р. Ларионов, И. А. Мокина, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Низкопороговые ($I_{n} =6.2$ мА, $T=300$ K) полосковые квантоворазмерные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1537–1540  mathnet  isi
32. В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, К. Я. Расулов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Гетероструктуры с туннельно тонкими ($20{-}50$ Å) поверхностными AlGaAs-слоями, полученными методом ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 14:15 (1988),  1429–1433  mathnet  isi
33. Ж. И. Алфров, В. М. Андреев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, Н. Н. Фалеев, В. П. Хвостиков, “Жидкофазные AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями толщиной до $\sim20$ Å”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  171–176  mathnet  isi
1987
34. В. М. Андреев, А. А. Воднев, А. М. Минтаиров, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Фотолюминесценция квантово-размерных слоев в AlGaAs-гетероструктурах, полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1212–1216  mathnet
1986
35. Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “$Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093  mathnet  isi 1

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024