|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
Н. С. Потапович, М. В. Нахимович, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1091–1094 |
2. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 956–959 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, M. V. Nakhimovich, M. Z. Shvarts, “GaSb-based thermophotovoltaic converters of IR selective emitter radiation”, Semiconductors, 55:11 (2021), 840–843 |
4
|
|
2020 |
3. |
Н. С. Потапович, Н. Ю. Давидюк, В. Р. Ларионов, В. П. Хвостиков, “Исследование влияния вторичных объемных концентраторов на выходные параметры фотоэлектрических модулей”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2118–2122 ; N. S. Potapovich, N. Yu. Daviduk, V. R. Larionov, V. P. Khvostikov, “An investigation of the influence of secondary optical elements on the output parameters of photovoltaic modules”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 2026–2030 |
2
|
4. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, “Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1764–1768 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, “Laser power converter modules with a wavelength of 809–850 nm”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1690–1694 |
|
2019 |
5. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, “Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1135–1139 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. S. Potapovich, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, “Module of laser-radiation ($\lambda$ = 1064 nm) photovoltaic converters”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1110–1113 |
5
|
6. |
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, В. М. Андреев, “Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:23 (2019), 30–33 ; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, V. M. Andreev, “Tritium power supply sources based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1197–1199 |
8
|
7. |
А. В. Малевская, В. П. Хвостиков, Ф. Ю. Солдатенков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 12–15 ; A. V. Malevskaya, V. P. Khvostikov, F. Yu. Soldatenkov, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “A study of ohmic contacts of power photovoltaic converters”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1198–1200 |
3
|
|
2018 |
8. |
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1647–1650 ; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “AlGaAs/GaAs photovoltaic converters of tritium radioluminescent-lamp radiation”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757 |
9
|
9. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Н. Х. Тимошина, Б. В. Пушный, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1641–1646 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, R. V. Levin, A. E. Marichev, N. Kh. Timoshina, B. V. Pushnii, “GaInAsP/InP-based laser power converters ($\lambda$ = 1064 nm)”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1748–1753 |
10
|
10. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, “Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 385–389 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, “Modification of photovoltaic laser-power ($\lambda$ = 808 nm) converters grown by LPE”, Semiconductors, 52:3 (2018), 366–370 |
16
|
11. |
Н. С. Потапович, Н. Х. Тимошина, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 31–38 ; N. S. Potapovich, N. Kh. Timoshina, V. P. Khvostikov, “Photovoltaic laser-power converters based on LPE-grown InP(GaAs)/InP heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 820–822 |
1
|
12. |
В. П. Хвостиков, П. В. Покровский, О. А. Хвостикова, А. Н. Паньчак, В. М. Андреев, “Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 42–48 ; V. P. Khvostikov, P. V. Pokrovskii, O. A. Khvostikova, A. N. Panchak, V. M. Andreev, “High-efficiency AlGaAs/GaAs photovoltaic converters with edge input of laser light”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 776–778 |
6
|
|
2017 |
13. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, “Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 676–679 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, “Laser ($\lambda$ = 809 nm) power converter based on GaAs”, Semiconductors, 51:5 (2017), 645–648 |
17
|
|
2016 |
14. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1358–1362 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, R. V. Levin, B. V. Pushnii, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “GaSb laser-power ($\lambda$ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1338–1343 |
9
|
15. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, В. М. Емельянов, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1242–1246 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, V. M. Emelyanov, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1220–1224 |
42
|
16. |
В. М. Емельянов, С. В. Сорокина, В. П. Хвостиков, М. З. Шварц, “Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 132–137 ; V. M. Emelyanov, S. V. Sorokina, V. P. Khvostikov, M. Z. Shvarts, “Simulation of the characteristics of InGaAs/InP-based photovoltaic laser-power converters”, Semiconductors, 50:1 (2016), 132–137 |
6
|
17. |
В. М. Емельянов, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, В. П. Хвостиков, М. З. Шварц, “Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 125–131 ; V. M. Emelyanov, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, V. P. Khvostikov, M. Z. Shvarts, “Simulation of the ohmic loss in photovoltaic laser-power converters for wavelengths of 809 and 1064 nm”, Semiconductors, 50:1 (2016), 125–131 |
15
|
|
1992 |
18. |
А. Б. Казанцев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Е. М. Танклевская, В. П. Хвостиков, “Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом
жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1666–1668 |
19. |
А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков, “Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света
эпитаксиальных слоев $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 614–628 |
|
1991 |
20. |
В. М. Андреев, А. Б. Казанцев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Низкопороговые ($\text{In}=2.0$ мА, 300 K) высокоэффективные
($\eta_{\text{ext}}=68$%) AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом НТ ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 17:5 (1991), 1–5 |
|
1990 |
21. |
В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, А. Б. Казанцев, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, Е. М. Танклевская, В. П. Хвостиков, “Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона
длин волн 730$-$850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1757–1761 |
22. |
А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков, “Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных
колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1539–1549 |
23. |
В. М. Андреев, B. C. Калиновский, В. Р. Ларионов, М. М. Миланова, К. Я. Расулов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Фотопреобразователи на основе AlGaAs$-$GaAs гетероструктур для
сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений”, Письма в ЖТФ, 16:19 (1990), 56–59 |
24. |
В. Б. Афанасьев, С. А. Гуревич, А. Л. 3акгейм, Ю. А. Лифшиц, В. М. Марахонов, В. П. Хвостиков, И. Э. Чебунина, Б. С. Явич, “Быстродействующая оптоэлектронная интегральная схема
«инжекционный лазер — полевой транзистор» на
основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990), 70–74 |
25. |
В. М. Андреев, В. Р. Ларионов, A. M. Минтаиров, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, К. Е. Смекалин, В. П. Хвостиков, “Исследование распределения состава в AlGaAs гетероструктурах
с квантоворазмерными слоями методом комбинационного рассеяния света”, Письма в ЖТФ, 16:9 (1990), 7–12 |
|
1989 |
26. |
В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, К. Я. Расулов, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические свойства
AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким
«широкозонным окном»”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 597–600 |
27. |
Ж. И. Алфров, И. Л. Алейнер, В. М. Андреев, B. C. Калиновский, Г. Л. Сандлер, Р. П. Сейсян, А. А. Торопов, Т. В. Шубина, В. П. Хвостиков, “Полупроводниковый лазер с встроенным экситонным штарковским
модулятором добротности на основе AlGaAs ДГС с одиночной квантовой ямой
GaAs”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989), 20–24 |
|
1988 |
28. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Квантово-размерные низкопороговые
AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной
эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1775–1779 |
29. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, Т. Н. Налет, Нгуен ТханьФыонг, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Квантово-размерные полосковые AlGaAs-гетеролазеры миллиамперного
диапазона токов
($I_{n}=2.1$ мА, $T=300$ K), полученные методом низкотемпературной ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 14:22 (1988), 2057–2060 |
1
|
30. |
Р. П. Сейсян, А. А. Торопов, В. Р. Ларионов, В. П. Хвостиков, Т. В. Шубина, И. Л. Алейнер, “Электропоглощение при волноводном
прохождении света через двойную
гетероструктуру AlGaAs
с квантоворазмерным слоем”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1548–1552 |
31. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, В. Р. Ларионов, И. А. Мокина, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Низкопороговые
($I_{n} =6.2$ мА, $T=300$ K)
полосковые квантоворазмерные
AlGaAs-гетеролазеры, полученные
методом низкотемпературной ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1537–1540 |
32. |
В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, К. Я. Расулов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Гетероструктуры с туннельно тонкими ($20{-}50$ Å)
поверхностными AlGaAs-слоями,
полученными методом ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 14:15 (1988), 1429–1433 |
33. |
Ж. И. Алфров, В. М. Андреев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, Н. Н. Фалеев, В. П. Хвостиков, “Жидкофазные
AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями
толщиной до $\sim20$ Å”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988), 171–176 |
|
1987 |
34. |
В. М. Андреев, А. А. Воднев, А. М. Минтаиров, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Фотолюминесценция квантово-размерных слоев в AlGaAs-гетероструктурах,
полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1212–1216 |
|
1986 |
35. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “$Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1089–1093 |
1
|
|