|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, М. В. Нахимович, М. З. Шварц Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследовались термофотоэлектрические преобразователи на основе GaSb под излучением селективного Y$_{2}$O$_{3}$-эмиттера мантийного типа, покрытого оксидами редкоземельных элементов Er$_{2}$O$_{3}$/Yb$_{2}$O$_{3}$. Согласование спектральной чувствительности преобразователей с пиковой длиной волны излучения эмиттера $\lambda$ = 1540 нм обеспечивает эффективность термофотоэлектрического преобразования $>$ 26% (0.4 Вт).
Ключевые слова:
термофотоэлектрический преобразователь, GaSb, селективный эмиттер, диффузия.
Поступила в редакцию: 31.05.2021 Исправленный вариант: 08.06.2021 Принята в печать: 08.06.2021
Образец цитирования:
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 956–959; Semiconductors, 55:11 (2021), 840–843
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4969 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p956
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 21 |
|