|
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
На основе однопереходных структур $n$-Al$_{0.07}$Ga$_{0.93}$As-$p$-Al$_{0.07}$ Ga$_{0.93}$As-$p$-Al$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As методом эпитаксии из жидкой фазы получены преобразователи лазерного излучения (ЛИ) для длины волны $\lambda$ = 808 нм, проведено их тестирование при равномерном (импульсный имитатор) и частично неравномерном (лазерный луч) распределении освещенности на фотоприемной поверхности. При равномерной засветке на образцах площадью $S$ = 4 cм$^{2}$ при мощности 1.2 Вт достигнут монохроматический кпд $\eta$ = 53.1%. Для преобразователей с $S$ = 10.2 мм$^{2}$ кпд составил 58.3% при мощности лазерного излучения 0.7 Вт.
Поступила в редакцию: 04.10.2017 Принята в печать: 18.10.2017
Образец цитирования:
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, “Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 385–389; Semiconductors, 52:3 (2018), 366–370
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5902 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p385
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 9 |
|