Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии

На основе однопереходных структур $n$-Al$_{0.07}$Ga$_{0.93}$As-$p$-Al$_{0.07}$ Ga$_{0.93}$As-$p$-Al$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As методом эпитаксии из жидкой фазы получены преобразователи лазерного излучения (ЛИ) для длины волны $\lambda$ = 808 нм, проведено их тестирование при равномерном (импульсный имитатор) и частично неравномерном (лазерный луч) распределении освещенности на фотоприемной поверхности. При равномерной засветке на образцах площадью $S$ = 4 cм$^{2}$ при мощности 1.2 Вт достигнут монохроматический кпд $\eta$ = 53.1%. Для преобразователей с $S$ = 10.2 мм$^{2}$ кпд составил 58.3% при мощности лазерного излучения 0.7 Вт.