|
Письма в Журнал технической физики, 1986, том 12, выпуск 18, страницы 1089–1093
(Mi pjtf257)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
$Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Поступила в редакцию: 27.06.1986
Образец цитирования:
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “$Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1089–1093
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf257 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v12/i18/p1089
|
|