Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1135–1139
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48007.9118 (Mi phts5441) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)

В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, С. В. Сорокина, М. З. Шварц

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (259 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48007.9118
Аннотация: Представлены результаты разработки и исследования модуля, предназначенного для приема и преобразования лазерного излучения в системах дистанционной передачи энергии на атмосферных трассах. Четырехэлементный модуль на основе однопереходных метаморфных фотоэлектрических преобразователей InGaAs/GaAs, полученных газофазной эпитаксией из металлoорганических соединений, имеет напряжение холостого хода $\sim$3 В. При преобразовании световой мощности 1.5 Вт/см$^{2}$ монохроматический кпд модуля на длине волны $\lambda$ = 1064 нм составляет 31.5%.
Ключевые слова: лазерное излучение, фотоэлектрический преобразователь, модуль, InGaAs/GaAs, беспроводная передача энергии, гетероструктура.
Поступила в редакцию: 27.03.2019
Исправленный вариант: 04.04.2019
Принята в печать: 04.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 8, Pages 1110–1113
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619080116
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, “Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1135–1139; Semiconductors, 53:8 (2019), 1110–1113
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhvKalMin19}
\by В.~П.~Хвостиков, Н.~А.~Калюжный, С.~А.~Минтаиров, Н.~С.~Потапович, С.~В.~Сорокина, М.~З.~Шварц
\paper Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1135--1139
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5441}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48007.9118}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129846}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1110--1113
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619080116}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5441
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i8/p1135
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024