|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, С. В. Сорокина, М. З. Шварц Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты разработки и исследования модуля, предназначенного для приема и преобразования лазерного излучения в системах дистанционной передачи энергии на атмосферных трассах. Четырехэлементный модуль на основе однопереходных метаморфных фотоэлектрических преобразователей InGaAs/GaAs, полученных газофазной эпитаксией из металлoорганических соединений, имеет напряжение холостого хода $\sim$3 В. При преобразовании световой мощности 1.5 Вт/см$^{2}$ монохроматический кпд модуля на длине волны $\lambda$ = 1064 нм составляет 31.5%.
Ключевые слова:
лазерное излучение, фотоэлектрический преобразователь, модуль, InGaAs/GaAs, беспроводная передача энергии, гетероструктура.
Поступила в редакцию: 27.03.2019 Исправленный вариант: 04.04.2019 Принята в печать: 04.04.2019
Образец цитирования:
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, “Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1135–1139; Semiconductors, 53:8 (2019), 1110–1113
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5441 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i8/p1135
|
|