Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм

Методом математического моделирования исследовано влияние характеристик эпитаксиальной структуры и контактной сетки фотопреобразователей лазерного излучения на уровень омических потерь в них. Определены предельно достижимые значения кпд при гауссовом распределении освещенности на поверхности фотопреобразователя и при плотностях темновых токов $p$–$n$-переходов, характерных для структур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Предложен подход к нахождению оптимальных параметров фотопреобразователей на основе GaAs и In$_{0.24}$Ga$_{0.76}$As/GaAs в зависимости от преобразуемой ими оптической мощности, и определены параметры структур для мощностей 5, 20, 50 Вт и длин волн 809, 1064 нм. Установлено, что при мощностях лазерного излучения до 5 Вт достижим кпд $>$ 60% при преобразовании излучения с длиной волны 809 нм и $>$ 55% при преобразовании излучения с длиной волны 1064 нм.