|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. А. Пшенай-Северин, А. А. Шабалдин, П. П. Константинов, А. Т. Бурков, “Теоретическое исследование фононного спектра и теплопроводности решетки в GeTe”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1144–1148   |
|
2020 |
| 2. |
С. В. Новиков, В. С. Кузнецова, А. Т. Бурков, И. Шуманн, “Зависимость кинетики кристаллизации тонких пленок Cr$_{0.26}$Si$_{0.74}$ от толщины”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 355–357 ; S. V. Novikov, V. S. Kuznetsova, A. Burkov, I. Shumann, “Dependence of the crystallization kinetics of Cr$_{0.26}$Si$_{0.74}$ thin films on their thickness”, Semiconductors, 54:4 (2020), 426–428 |
1
|
|
2019 |
| 3. |
Ф. Ю. Соломкин, А. С. Орехов, С. В. Новиков, Н. А. Архарова, Г. Н. Исаченко, Н. В. Зайцева, Н. В. Шаренкова, А. Ю. Самунин, В. В. Клечковская, А. Т. Бурков, “Структура и термоэлектрические свойства CoSi, полученного из пересыщенного раствора–расплава в Sn”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 770–773 ; F. Yu. Solomkin, A. S. Orekhov, S. V. Novikov, N. A. Arkharova, G. N. Isachenko, N. V. Zaitseva, N. V. Sharenkova, A. Yu. Samunin, V. V. Klechkovskaya, A. Burkov, “On the structure and thermoelectric properties of CoSi obtained from a supersaturated solution–melt in Sn”, Semiconductors, 53:6 (2019), 761–764 |
4
|
| 4. |
А. А. Шабалдин, П. П. Константинов, Д. А. Курдюков, Л. Н. Лукьянова, А. Ю. Самунин, Е. Ю. Стовпяга, А. Т. Бурков, “Термоэлектрические свойства нанокомпозитного Bi$_{0.45}$Sb$_{1.55}$Te$_{2.985}$ с микрочастицами SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 751–755 ; A. A. Shabaldin, P. P. Konstantinov, D. A. Kurdyukov, L. N. Luk'yanova, A. Yu. Samunin, E. Yu. Stovpyaga, A. Burkov, “Thermoelectric properties of nanocomposite Bi$_{0.45}$Sb$_{1.55}$Te$_{2.985}$ solid solution with SiO$_2$ microparticles”, Semiconductors, 53:6 (2019), 742–746 |
2
|
| 5. |
А. Ю. Овчинников, П. П. Константинов, Д. А. Пшенай-Северин, А. Т. Бурков, “Гальваномагнитные свойства моносилицида кобальта и сплавов на его основе”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 746–750 ; A. Yu. Ovchinnikov, P. P. Konstantinov, D. A. Pshenay-Severin, A. Burkov, “Galvanomagnetic properties of cobalt monosilicide and alloys based on it”, Semiconductors, 53:6 (2019), 737–741 |
4
|
| 6. |
А. С. Антонов, С. В. Новиков, Д. А. Пшенай-Северин, А. Т. Бурков, “Термоэлектрические свойства моносилицида кобальта и сплавов на его основе”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 674–679 ; A. S. Antonov, S. V. Novikov, D. A. Pshenay-Severin, A. Burkov, “Thermoelectric properties of cobalt monosilicide and its alloys”, Semiconductors, 53:5 (2019), 667–672 |
12
|
| 7. |
Д. С. Панкратова, А. П. Новицкий, К. В. Кусков, И. А. Сергиенко, Д. В. Лейбо, А. Т. Бурков, П. П. Константинов, В. В. Ховайло, “Влияние лантана на транспортные свойства оксиселенидов Bi$_{1-x}$La$_{x}$CuSeO”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 631–634 ; D. S. Pankratova, A. P. Novitskii, K. V. Kuskov, I. A. Serhiienko, D. V. Leybo, A. Burkov, P. P. Konstantinov, V. V. Khovaylo, “Influence of la doping on the transport properties of Bi$_{1-x}$La$_{x}$CuSeO oxyselenides”, Semiconductors, 53:5 (2019), 624–627 |
2
|
| 8. |
С. В. Новиков, А. Т. Бурков, Х. Танг, Я. Ян, А. С. Орехов, “Термоэлектрические свойства лент In$_{0.2}$Ce$_{0.1}$Co$_{4}$Sb$_{12.3}$, полученных методом быстрой закалки”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 587–592 ; S. V. Novikov, A. Burkov, X. Tang, Y. Yan, A. S. Orekhov, “Thermoelectric properties of In$_{0.2}$Ce$_{0.1}$Co$_{4}$Sb$_{12.3}$ ribbons prepared by rapid quenching technique”, Semiconductors, 53:5 (2019), 583–588 |
| 9. |
А. П. Новицкий, И. А. Сергиенко, С. В. Новиков, К. В. Кусков, Д. В. Лейбо, Д. С. Панкратова, А. Т. Бурков, В. В. Ховайло, “Влияние замещения висмута празеодимом и лантаном на термоэлектрические свойства оксиселенидов BiCuSeO”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 226–230 ; A. P. Novitskii, I. A. Serhiienko, S. V. Novikov, K. V. Kuskov, D. V. Leybo, D. S. Pankratova, A. Burkov, V. V. Khovaylo, “Effect of praseodymium and lanthanum substitution for bismuth on the thermoelectric properties of BiCuSeO oxyselenides”, Semiconductors, 53:2 (2019), 215–219 |
1
|
|
2017 |
| 10. |
А. Т. Бурков, С. В. Новиков, Х. Танг, Я. Ян, “Термоэлектрические свойства лент Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$, полученных методом спиннингования расплава”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1068–1070 ; A. Burkov, S. V. Novikov, X. Tang, Y. Yan, “Thermoelectric properties of Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ ribbons prepared by melt spinning”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1024–1026 |
1
|
| 11. |
А. Т. Бурков, С. В. Новиков, В. К. Зайцев, Х. Рейсс, “Низкотемпературный транспорт в моносилициде кобальта и сплавах на его основе”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 723–725 ; A. Burkov, S. V. Novikov, V. K. Zaitsev, H. Reith, “Transport properties of cobalt monosilicide and its alloys at low temperatures”, Semiconductors, 51:6 (2017), 689–691 |
15
|
|
2016 |
| 12. |
С. В. Новиков, А. Т. Бурков, “Вклад селективного рассеяния в увеличение термоэдс нанокристаллических пленок Cr$_{1-x}$Si$_{x}$”, Физика твердого тела, 58:6 (2016), 1054–1057 ; S. V. Novikov, A. Burkov, “Contribution of selective scattering to increase in the thermoelectric power of nanocrystalline films Cr$_{1-x}$Si$_{x}$”, Phys. Solid State, 58:6 (2016), 1085–1089 |
|
1988 |
| 13. |
П. П. Константинов, М. В. Ведерников, А. Т. Бурков, В. Г. Двуниткин, Д. А. Колгунов, В. А. Алексеев, Д. А. Лапшин, Н. В. Шишков, “Постоянная Холла, термоэдс и электросопротивление в YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ при температурах 100${-}$450 K”, Физика твердого тела, 30:7 (1988), 2233–2236  |
| 14. |
Н. С. Хамраев, П. П. Константинов, А. Т. Бурков, М. В. Ведерников, “Анизотропия постоянной Холла в бериллии при температурах 77$-$1000 K”, Физика твердого тела, 30:4 (1988), 1235–1237 |
|
1987 |
| 15. |
Е. Т. Крылов, А. Т. Бурков, М. В. Ведерников, “Особенности высокотемпературной термоэдс рения”, Физика твердого тела, 29:10 (1987), 3152–3154 |
|
1986 |
| 16. |
А. Т. Бурков, М. В. Ведерников, “Аномальная анизотропия высокотемпературной термоэдс бериллия”, Физика твердого тела, 28:12 (1986), 3737–3739 |
| 17. |
А. Т. Бурков, М. В. Ведерников, В. А. Еленский, Г. П. Ковтун, “Анизотропия термоэдс рения и электросопротивления высокой чистоты”, Физика твердого тела, 28:3 (1986), 785–788 |
|
1984 |
| 18. |
А. Т. Бурков, М. В. Ведерников, “Температурные зависимости термоэдс и электросопротивления празеодима и неодима в твердом и жидком состояниях”, Физика твердого тела, 26:12 (1984), 3673–3676 |
|
1983 |
| 19. |
А. Т. Бурков, М. В. Ведерников, Т. В. Никифорова, Н. Н. Рытус, “Влияние степени чистоты на высокотемпературные фазовые превращения в самарии”, Физика твердого тела, 25:2 (1983), 570–572 |
| 20. |
А. Т. Бурков, А. Ю. Зюзин, Г. Ю. Яшин, “Влияние вихревых термоэлектрических токов на точность измерения
термоэдс при высоких температурах”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1694–1696 |
|
Обратная связь: