Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 4, страницы 355–357
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49139.9337 (Mi phts5242) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Зависимость кинетики кристаллизации тонких пленок Cr$_{0.26}$Si$_{0.74}$ от толщины

С. В. Новиковa, В. С. Кузнецоваa, А. Т. Бурковa, И. Шуманнb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Лейбниц Институт физики твердого тела и материаловедения, Дрезден, Германия
PDF полного текста (204 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49139.9337
Аннотация: Исследуются термоэлектрические свойства и кинетика кристаллизации тонких пленок Cr$_{0.26}$Si$_{0.74}$ с толщинами 11, 14, 21, 31, 56, 74 и 115 мм. Пленки получены магнетронным распылением на холодную подложку и в исходном состоянии имеют аморфную структуру. В процессе термического отжига происходит преобразование аморфной смеси в двухфазный нанокристаллический композит, состоящий из дисилицида хрома и кремния. In situ измерения термоэлектрических свойств пленок в ходе отжига показали, что температура начала кристаллизации уменьшается, а скорость кристаллизации растет с уменьшением толщины пленок. Термоэдс нанокристаллических пленок уменьшается с ростом толщины пленок, а термоэлектрический фактор мощности достигает максимального значения в пленках толщиной 31 нм.
Ключевые слова: термоэлектричество, силициды, нанокристаллизация, тонкие пленки, фактор мощности.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации MK-1452.2019.2
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Президента Российской Федерации MK-1452.2019.2.
Поступила в редакцию: 18.12.2019
Исправленный вариант: 25.12.2019
Принята в печать: 25.12.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 4, Pages 426–428
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620040107
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Новиков, В. С. Кузнецова, А. Т. Бурков, И. Шуманн, “Зависимость кинетики кристаллизации тонких пленок Cr$_{0.26}$Si$_{0.74}$ от толщины”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 355–357; Semiconductors, 54:4 (2020), 426–428
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NovKuzBur20}
\by С.~В.~Новиков, В.~С.~Кузнецова, А.~Т.~Бурков, И.~Шуманн
\paper Зависимость кинетики кристаллизации тонких пленок Cr$_{0.26}$Si$_{0.74}$ от толщины
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 355--357
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5242}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49139.9337}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776696}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 426--428
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620040107}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5242
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i4/p355
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024