Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 723–725
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44542.01
(Mi phts6120)
 

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Низкотемпературный транспорт в моносилициде кобальта и сплавах на его основе

А. Т. Бурковa, С. В. Новиковa, В. К. Зайцевa, Х. Рейссb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Лейбниц-институт физики твердого тела и материаловедения, Дрезден, Германия
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования электрического сопротивления и термоэдс моносилицида кобальта (CoSi) и разбавленных сплавов CoSi с железом при температурах 2–370 K. CoSi является полуметаллом и рассматривается как перспективный термоэлектрический материал. Соединения кристаллизуются в кубическую структуру без центра инверсии. Отсутствие центра инверсии указывает на возможность существования топологически нетривиальных электронных состояний, и делает CoSi кандидатом в класс полуметаллов Вейля. Основной задачей исследования являлся поиск экспериментальных подтверждений принадлежности CoSi к этому классу. В работе показано, что экспериментальные температурные зависимости электрического сопротивления и термоэдс CoSi и Co$_{1-x}$Fe$_{x}$Si ($x$ = 0.04) при низких температурах не могут быть интерпретированы в рамках стандартной теории проводимости в металлах и, возможно, определяются топологическими особенностями электронной структуры соединения.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 689–691
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060094
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Т. Бурков, С. В. Новиков, В. К. Зайцев, Х. Рейсс, “Низкотемпературный транспорт в моносилициде кобальта и сплавах на его основе”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 723–725; Semiconductors, 51:6 (2017), 689–691
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BurNovZai17}
\by А.~Т.~Бурков, С.~В.~Новиков, В.~К.~Зайцев, Х.~Рейсс
\paper Низкотемпературный транспорт в моносилициде кобальта и сплавах на его основе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 723--725
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6120}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44542.01}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404930}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 689--691
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060094}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6120
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p723
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024