Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 751–755
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47721.30
(Mi phts5475)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Термоэлектрические свойства нанокомпозитного Bi$_{0.45}$Sb$_{1.55}$Te$_{2.985}$ с микрочастицами SiO$_{2}$

А. А. Шабалдин, П. П. Константинов, Д. А. Курдюков, Л. Н. Лукьянова, А. Ю. Самунин, Е. Ю. Стовпяга, А. Т. Бурков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Нанокомпозитные термоэлектрики на основе Bi$_{0.45}$Sb$_{1.55}$Te$_{2.985}$ $p$-типа проводимости получены методом горячего прессования нанопорошков этого соединения с добавлением микрочастиц SiO$_{2}$. Исследования термоэлектрических свойств показали, что термоэдс нанокомпозитов возрастает в широком интервале температур 80–420 K, а теплопроводность значительно снижается при температурах 80–320 K, что, несмотря на снижение проводимости, приводит к повышению термоэлектрической эффективности в наноструктурированном материале без добавления SiO$_{2}$ почти на 50% (при 300 K). При добавлении SiO$_{2}$ эффективность снижается. При температурах выше 350 K наиболее эффективным является исходный термоэлектрик, полученный без наноструктурирования, в котором максимальная термоэлектрическая эффективность $ZT_{\operatorname{max}}$ = 1 при 390 K.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-42-01067
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда № 16-42-01067.
Поступила в редакцию: 07.02.2019
Исправленный вариант: 10.02.2019
Принята в печать: 14.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 742–746
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060186
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Шабалдин, П. П. Константинов, Д. А. Курдюков, Л. Н. Лукьянова, А. Ю. Самунин, Е. Ю. Стовпяга, А. Т. Бурков, “Термоэлектрические свойства нанокомпозитного Bi$_{0.45}$Sb$_{1.55}$Te$_{2.985}$ с микрочастицами SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 751–755; Semiconductors, 53:6 (2019), 742–746
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShaKonKur19}
\by А.~А.~Шабалдин, П.~П.~Константинов, Д.~А.~Курдюков, Л.~Н.~Лукьянова, А.~Ю.~Самунин, Е.~Ю.~Стовпяга, А.~Т.~Бурков
\paper Термоэлектрические свойства нанокомпозитного Bi$_{0.45}$Sb$_{1.55}$Te$_{2.985}$ с микрочастицами SiO$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 751--755
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5475}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47721.30}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133282}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 742--746
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060186}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5475
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p751
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024