Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 770–773
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47725.34 (Mi phts5479) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Структура и термоэлектрические свойства CoSi, полученного из пересыщенного раствора–расплава в Sn

Ф. Ю. Соломкинa, А. С. Ореховbc, С. В. Новиковa, Н. А. Архароваb, Г. Н. Исаченкоa, Н. В. Зайцеваa, Н. В. Шаренковаa, А. Ю. Самунинa, В. В. Клечковскаяb, А. Т. Бурковa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Федерального научно-исследовательского центра "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Москва, Россия
c Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
PDF полного текста (1193 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47725.34
Аннотация: Исследованы структура, состав и термоэлектрические свойства моносилицида кобальта, полученного из пересыщенного раствора-расплава в олове. Разработана методика синтеза и направленной кристаллизации микрокристаллического и объемного текстурированного материалов в одном технологическом цикле.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования в рамках выполнения работ по Государственному заданию.
Поступила в редакцию: 07.02.2019
Исправленный вариант: 10.02.2019
Принята в печать: 14.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 761–764
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060253
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. Ю. Соломкин, А. С. Орехов, С. В. Новиков, Н. А. Архарова, Г. Н. Исаченко, Н. В. Зайцева, Н. В. Шаренкова, А. Ю. Самунин, В. В. Клечковская, А. Т. Бурков, “Структура и термоэлектрические свойства CoSi, полученного из пересыщенного раствора–расплава в Sn”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 770–773; Semiconductors, 53:6 (2019), 761–764
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SolOreNov19}
\by Ф.~Ю.~Соломкин, А.~С.~Орехов, С.~В.~Новиков, Н.~А.~Архарова, Г.~Н.~Исаченко, Н.~В.~Зайцева, Н.~В.~Шаренкова, А.~Ю.~Самунин, В.~В.~Клечковская, А.~Т.~Бурков
\paper Структура и термоэлектрические свойства CoSi, полученного из пересыщенного раствора--расплава в Sn
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 770--773
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5479}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47725.34}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133286}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 761--764
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060253}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5479
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p770
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024