Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1068–1070
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44790.59
(Mi phts6070)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Термоэлектрические свойства лент Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$, полученных методом спиннингования расплава

А. Т. Бурковa, С. В. Новиковa, Х. Тангb, Я. Янb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Уханьский технологический университет, Ухань Китай
Аннотация: Представлены результаты исследования термоэлектрических свойств образцов сплава Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ $p$-типа проводимости, полученных методом сверхбыстрой закалки из жидкого состояния (спиннингование). В результате спиннингования материал получается в виде тонких лент и имеет квазиаморфную структуру. Впервые исследованы термоэлектрические свойства (термоэдс и электрическое сопротивление) и процессы кристаллизации спиннингованных лент при 300–800 K. Определена область стабильности исходного состояния, температура начала кристаллизации и влияние термического отжига на фактор мощности сплава.
Поступила в редакцию: 31.01.2017
Принята в печать: 08.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 8, Pages 1024–1026
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261708005X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Т. Бурков, С. В. Новиков, Х. Танг, Я. Ян, “Термоэлектрические свойства лент Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$, полученных методом спиннингования расплава”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1068–1070; Semiconductors, 51:8 (2017), 1024–1026
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BurNovTan17}
\by А.~Т.~Бурков, С.~В.~Новиков, Х.~Танг, Я.~Ян
\paper Термоэлектрические свойства лент Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$, полученных методом спиннингования расплава
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1068--1070
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6070}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44790.59}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29938283}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1024--1026
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261708005X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6070
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1068
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024