Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 226–230
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47103.8932
(Mi phts5591)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние замещения висмута празеодимом и лантаном на термоэлектрические свойства оксиселенидов BiCuSeO

А. П. Новицкийab, И. А. Сергиенкоa, С. В. Новиковb, К. В. Кусковa, Д. В. Лейбоa, Д. С. Панкратоваa, А. Т. Бурковb, В. В. Ховайлоa

a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Представлены результаты исследования термоэлектрических свойств объемных образцов оксиселенидов Bi$_{1-x}$Pr$_{x}$CuSeO ($x$ = 0, 0.04, 0.08) и Bi$_{0.96}$La$_{0.04}$CuSeO $p$-типа проводимости, полученных методом твердофазного синтеза. Измерены температурные зависимости термоэдс, электросопротивления и теплопроводности от комнатной температуры до 800 K. Во всем интервале температур наблюдается снижение удельного электросопротивления и термоэдс с увеличением концентрации замещающего элемента, в то время как теплопроводность при замещении висмута редкоземельными элементами практически не изменяется. Несмотря на то что номинальная валентность Bi, La и Pr одинакова, замещение висмута ионами редкоземельных элементов приводит к увеличению концентрации носителей заряда, что может быть вызвано разницей электронных конфигураций ионов, и, как следствие, смещением уровня Ферми в валентную зону.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-32-50165 мол_нр
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 17-32-50165 мол_нр.
Поступила в редакцию: 13.06.2018
Исправленный вариант: 18.06.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 215–219
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020180
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Новицкий, И. А. Сергиенко, С. В. Новиков, К. В. Кусков, Д. В. Лейбо, Д. С. Панкратова, А. Т. Бурков, В. В. Ховайло, “Влияние замещения висмута празеодимом и лантаном на термоэлектрические свойства оксиселенидов BiCuSeO”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 226–230; Semiconductors, 53:2 (2019), 215–219
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NovSerNov19}
\by А.~П.~Новицкий, И.~А.~Сергиенко, С.~В.~Новиков, К.~В.~Кусков, Д.~В.~Лейбо, Д.~С.~Панкратова, А.~Т.~Бурков, В.~В.~Ховайло
\paper Влияние замещения висмута празеодимом и лантаном на термоэлектрические свойства оксиселенидов BiCuSeO
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 226--230
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5591}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47103.8932}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476876}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 215--219
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020180}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5591
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p226
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024