|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Влияние замещения висмута празеодимом и лантаном на термоэлектрические свойства оксиселенидов BiCuSeO
А. П. Новицкийab, И. А. Сергиенкоa, С. В. Новиковb, К. В. Кусковa, Д. В. Лейбоa, Д. С. Панкратоваa, А. Т. Бурковb, В. В. Ховайлоa a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты исследования термоэлектрических свойств объемных образцов оксиселенидов Bi$_{1-x}$Pr$_{x}$CuSeO ($x$ = 0, 0.04, 0.08) и Bi$_{0.96}$La$_{0.04}$CuSeO $p$-типа проводимости, полученных методом твердофазного синтеза. Измерены температурные зависимости термоэдс, электросопротивления и теплопроводности от комнатной температуры до 800 K. Во всем интервале температур наблюдается снижение удельного электросопротивления и термоэдс с увеличением концентрации замещающего элемента, в то время как теплопроводность при замещении висмута редкоземельными элементами практически не изменяется. Несмотря на то что номинальная валентность Bi, La и Pr одинакова, замещение висмута ионами редкоземельных элементов приводит к увеличению концентрации носителей заряда, что может быть вызвано разницей электронных конфигураций ионов, и, как следствие, смещением уровня Ферми в валентную зону.
Поступила в редакцию: 13.06.2018 Исправленный вариант: 18.06.2018
Образец цитирования:
А. П. Новицкий, И. А. Сергиенко, С. В. Новиков, К. В. Кусков, Д. В. Лейбо, Д. С. Панкратова, А. Т. Бурков, В. В. Ховайло, “Влияние замещения висмута празеодимом и лантаном на термоэлектрические свойства оксиселенидов BiCuSeO”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 226–230; Semiconductors, 53:2 (2019), 215–219
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5591 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p226
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 9 |
|