Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 631–634
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47552.10
(Mi phts5508)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Влияние лантана на транспортные свойства оксиселенидов Bi$_{1-x}$La$_{x}$CuSeO

Д. С. Панкратоваa, А. П. Новицкийa, К. В. Кусковa, И. А. Сергиенкоa, Д. В. Лейбоa, А. Т. Бурковb, П. П. Константиновb, В. В. Ховайлоa

a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Представлены результаты исследования транспортных свойств оксиселенидов химического состава Bi$_{1-x}$La$_{x}$CuSeO ($x$ = 0.02, 0.04, 0.06) $p$-типа проводимости. По температурным зависимостям удельного электросопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда было выявлено, что замещение ионов Bi$^{3+}$ на ионы La$^{3+}$ приводит к увеличению концентрации носителей заряда, предположительно, за счет генерации дырок, обусловленной формированием вакансий висмута с увеличением степени замещения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках программы повышения конкурентоспособности НИТУ “МИСиС”.
Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 5, Pages 624–627
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619050221
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. С. Панкратова, А. П. Новицкий, К. В. Кусков, И. А. Сергиенко, Д. В. Лейбо, А. Т. Бурков, П. П. Константинов, В. В. Ховайло, “Влияние лантана на транспортные свойства оксиселенидов Bi$_{1-x}$La$_{x}$CuSeO”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 631–634; Semiconductors, 53:5 (2019), 624–627
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PanNovKus19}
\by Д.~С.~Панкратова, А.~П.~Новицкий, К.~В.~Кусков, И.~А.~Сергиенко, Д.~В.~Лейбо, А.~Т.~Бурков, П.~П.~Константинов, В.~В.~Ховайло
\paper Влияние лантана на транспортные свойства оксиселенидов Bi$_{1-x}$La$_{x}$CuSeO
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 631--634
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5508}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47552.10}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644646}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 624--627
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619050221}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5508
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i5/p631
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024