|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
И. Т. Серенков, В. И. Сахаров, “Использование атомных пучков средних энергий для твердотельной PIXE-диагностики”, ЖТФ, 91:1 (2021), 163–168   ; I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, “The use of medium-energy atom beams for solid-state PIXE diagnostics”, Tech. Phys., 66:1 (2021), 155–160  |
|
2020 |
| 2. |
П. Н. Аруев, В. П. Белик, В. В. Забродский, Е. М. Круглов, А. В. Николаев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, В. В. Филимонов, Е. В. Шерстнев, “Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 120–170 nm”, ЖТФ, 90:8 (2020), 1386–1392 ; P. N. Aruev, V. P. Belik, V. V. Zabrodskii, E. M. Kruglov, A. V. Nikolaev, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, V. V. Filimonov, E. V. Sherstnev, “Quantum yield of a silicon avalanche photodiode in the wavelength range of 120–170 nm”, Tech. Phys., 65:8 (2020), 1333–1339 |
3
|
|
2019 |
| 3. |
Н. А. Соболев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, А. Д. Бондарев, К. В. Карабешкин, Е. В. Фомин, А. Е. Калядин, В. М. Микушкин, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, “Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 437–440 ; N. A. Sobolev, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, A. D. Bondarev, K. V. Karabeshkin, E. V. Fomin, A. E. Kalyadin, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, “Defect formation under nitrogen-ion implantation and subsequent annealing in GaAs structures with an uncovered surface and a surface covered with an AlN film”, Semiconductors, 53:4 (2019), 415–418 |
1
|
| 4. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. О. Паршин, Н. С. Мелесов, С. Г. Симакин, “Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 165–168 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. O. Parshin, N. S. Melesov, S. G. Simakin, “Dislocation-related photoluminescence in silicon implanted with germanium ions”, Semiconductors, 53:2 (2019), 156–159 |
2
|
| 5. |
Н. А. Соболев, О. В. Александров, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, А. Е. Калядин, Е. О. Паршин, Н. С. Мелесов, “Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 161–164 ; N. A. Sobolev, O. V. Aleksandrov, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, A. E. Kalyadin, E. O. Parshin, N. S. Melesov, “Influence of annealing temperature on electrically active centers in silicon implanted with germanium ions”, Semiconductors, 53:2 (2019), 153–155 |
1
|
|
2018 |
| 6. |
А. В. Тумаркин, М. В. Злыгостов, И. Т. Серенков, В. И. Сахаров, В. В. Афросимов, А. А. Одинец, “Начальные стадии роста пленок цирконата-титаната бария и станната-титаната бария на монокристаллических подложках сапфира и карбида кремния”, Физика твердого тела, 60:10 (2018), 2045–2050 ; A. V. Tumarkin, M. V. Zlygostov, I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, V. V. Afrosimov, A. A. Odinets, “Initial stages of growth of barium zirconate titanate and barium stannate titanate films on single-crystal sapphire and silicon carbide”, Phys. Solid State, 60:10 (2018), 2091–2096 |
2
|
| 7. |
Ю. А. Бойков, В. А. Данилов, И. Т. Серенков, В. И. Сахаров, М. П. Волков, “Электро- и магнетотранспорт в области межфазной границы LaAlO$_{3}$/SrTiO$_{3}$”, Физика твердого тела, 60:6 (2018), 1223–1226 ; Yu. A. Boikov, V. A. Danilov, I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, M. P. Volkov, “Electro- and magnetotransport near a LaAlO$_{3}$/SrTiO$_{3}$ interphase boundary”, Phys. Solid State, 60:6 (2018), 1235–1238 |
| 8. |
Ю. А. Бойков, И. Т. Серенков, В. И. Сахаров, В. А. Данилов, “Воздействие механических напряжений на зарядовое состояние межфазной границы в гетероструктурах LaAlO$_{3}$/(001)SrTiO$_{3}$ c нарушенной стехиометрией”, Физика твердого тела, 60:1 (2018), 171–174 ; Yu. A. Boikov, I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, V. A. Danilov, “Influence of mechanical stresses on the charge state of the interface in the LaAlO$_{3}$/(001)SrTiO$_{3}$ heterostructures with a distorted stoichiometry”, Phys. Solid State, 60:1 (2018), 173–177 |
2
|
| 9. |
S. V. Kidalov, V. V. Shnitov, M. V. Baidakova, M. M. Brzhezinskaya, A. T. Dideikin, M. S. Shestakov, D. A. Smirnov, I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, V. V. Sokolov, N. I. Tatarnikov, A. Ya. Vul', “Chemical composition of surface and structure of defects in diamond single crystals produced from detonation nanodiamonds”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018), 21–24  |
1
|
| 10. |
Н. А. Соболев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, В. М. Микушкин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, Н. М. Шмидт, “Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 44–50 ; N. A. Sobolev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, V. M. Mikushkin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, N. M. Shmidt, “The effect of dose of nitrogen-ion implantation on the concentration of point defects introduced into GaAs layers”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 574–576 |
3
|
|
2017 |
| 11. |
А. В. Тумаркин, И. Т. Серенков, В. И. Сахаров, С. В. Разумов, А. А. Одинец, М. В. Злыгостов, Е. Н. Сапего, В. В. Афросимов, “Начальные стадии роста пленок титаната бария-стронция на подложке полуизолирующего карбида кремния”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2352–2357 ; A. V. Tumarkin, I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, S. V. Razumov, A. A. Odinets, M. V. Zlygostov, E. N. Sapego, V. V. Afrosimov, “Initial stages of the growth of barium strontium titanate films on a semi-isolating silicon carbide substrate”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2374–2380 |
3
|
| 12. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 14–20 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Dislocation-related photoluminescence in silicon implanted with fluorine ions”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 50–52 |
4
|
|
2016 |
| 13. |
Ю. А. Бойков, И. Т. Серенков, В. И. Сахаров, Т. Клаесон, “Упругонапряженные и релаксированные пленки La$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_{3}$, выращенные на подложках из алюмината лантана с различной ориентацией”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2469–2475 ; Yu. A. Boikov, I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, T. Claeson, “Elastically strained and relaxed La$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_{3}$ films grown on lanthanum aluminate substrates with different orientations”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2560–2566 |
| 14. |
А. В. Тумаркин, И. Т. Серенков, В. И. Сахаров, В. В. Афросимов, А. А. Одинец, “Влияние температуры подложки на начальные стадии роста пленок титаната бария-стронция на сапфире”, Физика твердого тела, 58:2 (2016), 354–359 ; A. V. Tumarkin, I. T. Serenkov, V. I. Sakharov, V. V. Afrosimov, A. A. Odinets, “Influence of the substrate temperature on the initial stages of growth of barium strontium titanate films on sapphire”, Phys. Solid State, 58:2 (2016), 364–369 |
8
|
| 15. |
A. E. Aleksenskii, S. P. Vul', A. T. Dideikin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, M. K. Rabchinskii, V. V. Afrosimov, “Etching of wrinkled graphene oxide films in noble gas atmosphere under UV irradiation”, Наносистемы: физика, химия, математика, 7:1 (2016), 81–86 |
4
|
|
2014 |
| 16. |
V. V. Afrosimov, A. T. Dideykin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, S. P. Vul', “Utilizing of the Medium-Energy Ion Scattering spectrometry for the composition investigation of graphene oxide films on silicon surface”, Наносистемы: физика, химия, математика, 5:1 (2014), 113–116 |
|
1989 |
| 17. |
Р. Н. Ильин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, “Рассеяние быстрых отрицательных ионов водорода
при столкновении их с
атомами He и молекулами H$_{2}$”, ЖТФ, 59:5 (1989), 124–127 |
|
1987 |
| 18. |
Е. М. Вербицкая, В. К. Еремин, А. М. Маляренко, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Н. Б. Строкан, В. Л. Суханов, “Возможности кремниевых барьеров Шоттки и планарных детекторов в спектрометрии низкоэнергетических протонов”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 565–569 |
|
Обратная связь: