Начальные стадии роста пленок цирконата-титаната бария и станната-титаната бария на монокристаллических подложках сапфира и карбида кремния

Впервые исследованы начальные стадии роста сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната бария и станната-титаната бария на подложках монокристаллического сапфира и карбида кремния. Выбор подложек обусловлен возможностью применения данных структур в сверхвысокочастотных устройствах. Показано, что рост островковых пленок BaZr$_{x}$Ti$_{1-x}$O$_{3}$ происходит посредством механизма массопереноса частиц через газовую фазу во всем исследуемом температурном диапазоне. При конденсации BaSn$_{x}$Ti$_{1-x}$O$_{3}$ пленок в температурной области $\sim$800$^\circ$C происходит смена механизма массопереноса с поверхностной диффузии на диффузию через газовую фазу, кроме того наблюдается существенная разница в компонентном составе пленок на сапфире и карбиде кремния. Отмечено, что при росте оксидных пленок на поверхности подложки карбида кремния образуется промежуточный слой SiO$_{2}$, толщина которого зависит от температуры осаждения.