Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 161–164
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47092.8977 (Mi phts5580) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия

Н. А. Соболевa, О. В. Александровb, В. И. Сахаровa, И. Т. Серенковa, Е. И. Шекa, А. Е. Калядинa, Е. О. Паршинc, Н. С. Мелесовc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Ярославский филиал Физико-технологического института РАН
PDF полного текста (119 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47092.8977
Аннотация: Установлено, что имплантация выращенного методом Чохральского кремния p-типа проводимости ионами германия с энергией 1 МэВ и дозой 2.5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$ не приводит к аморфизации монокристаллического кремния. При последующем высокотемпературном отжиге имплантированных образцов происходит трансформация электрически активных акцепторных центров. Их концентрация и пространственное распределение зависят от температуры отжига. Обсуждаются возможные факторы, определяющие процесс их формирования.
Поступила в редакцию: 28.08.2018
Исправленный вариант: 10.09.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 153–155
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020222
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Соболев, О. В. Александров, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, А. Е. Калядин, Е. О. Паршин, Н. С. Мелесов, “Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 161–164; Semiconductors, 53:2 (2019), 153–155
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SobAleSak19}
\by Н.~А.~Соболев, О.~В.~Александров, В.~И.~Сахаров, И.~Т.~Серенков, Е.~И.~Шек, А.~Е.~Калядин, Е.~О.~Паршин, Н.~С.~Мелесов
\paper Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 161--164
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5580}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47092.8977}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476744}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 153--155
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020222}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5580
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p161
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024