|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
Н. А. Соболевa, А. Е. Калядинa, В. И. Сахаровa, И. Т. Серенковa, Е. И. Шекa, К. В. Карабешкинa, П. А. Карасевb, А. И. Титовb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Установлено, что имплантация ионов фтора с энергией 85 keV и дозой 8.3 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$ в монокристаллический Si не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг при температуре 1100$^\circ$C в хлорсодержащей атмосфере сопровождается появлением D1- и D2-линий дислокационной люминесценции. Интенсивность обеих линий уменьшается с увеличением времени отжига от 0.25 до 3 h. С увеличением температуры измерения от 80 до 200 K интенсивности этих линий уменьшаются, а положения их максимумов сдвигаются в длинноволновую сторону.
Поступила в редакцию: 15.07.2016
Образец цитирования:
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 14–20; Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 50–52
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6026 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i1/p14
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 14 |
|