|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия
Н. А. Соболевa, А. Е. Калядинa, В. И. Сахаровa, И. Т. Серенковa, Е. И. Шекa, Е. О. Паршинb, Н. С. Мелесовb, С. Г. Симакинb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Ярославский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института РАН
Аннотация:
Исследовано влияние условий постимплантационного отжига кремния, имплантированного ионами германия, на образование люминесцентных центров. Измерения с помощью метода обратного резерфордовского рассеяния ионов средней и высокой энергий показали, что имплантация ионами германия с энергией 1 МэВ и дозой 1.5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$ не приводит к аморфизации монокристаллического кремния. Обнаружено, что последующий высокотемпературный отжиг имплантированных образцов в хлорсодержащей атмосфере при 1100$^\circ$С в течение 0.5–1.5 ч приводит к образованию так называемых D1 и D2 линий дислокационной люминесценции с длинами волн 1.54 и 1.42 мкм. При увеличении времени отжига интенсивность линии D1 уменьшается, а D2 – остается постоянной, но во всех спектрах доминирует D1 линия. Обсуждаются возможные факторы, приводящие к снижению интенсивности D1 линии, в частности диффузия атомов германия и образование твердого раствора кремний-германий.
Поступила в редакцию: 25.07.2018 Исправленный вариант: 13.08.2018
Образец цитирования:
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. О. Паршин, Н. С. Мелесов, С. Г. Симакин, “Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 165–168; Semiconductors, 53:2 (2019), 156–159
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5581 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p165
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 16 |
|