Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Шапкин Петр Васильевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 28
Научных статей: 27

Статистика просмотров:
Эта страница:234
Страницы публикаций:6006
Полные тексты:2421
Списки литературы:219

https://www.mathnet.ru/rus/person85516
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2015
1. Г. А. Буфетова, Э. С. Гулямова, Н. Н. Ильичев, А. С. Насибов, П. П. Пашинин, П. В. Шапкин, “Спектры поглощения и нелинейное пропускание (на $\lambda=2940$ нм) монокристалла ZnSe:Fe$^{2+}$, легированного диффузионным методом”, Квантовая электроника, 45:6 (2015),  521–526  mathnet  elib [G. A. Bufetova, E. S. Gulyamova, N. N. Il'ichev, A. S. Nasibov, P. P. Pashinin, P. V. Shapkin, “Absorption spectra and nonlinear transmission (at $\lambda=2940$ nm) of a diffusion-doped Fe$^{2+}$:ZnSe single crystal”, Quantum Electron., 45:6 (2015), 521–526  isi  scopus] 4
2014
2. Н. Н. Ильичев, П. П. Пашинин, Э. С. Гулямова, Г. А. Буфетова, П. В. Шапкин, А. С. Насибов, “Линейное и нелинейное пропускание кристалла ZnSe, легированного Fe<sup>2+</sup>, на длине волны 2940 нм в диапазоне температур 20 – 220 °С”, Квантовая электроника, 44:3 (2014),  213–216  mathnet  elib [N. N. Il'ichev, P. P. Pashinin, È. S. Gulyamova, G. A. Bufetova, P. V. Shapkin, A. S. Nasibov, “Linear and nonlinear transmission of Fe<sup>2+</sup>-doped ZnSe crystals at a wavelength of 2940 nm in the temperature range 20–220 °C”, Quantum Electron., 44:3 (2014), 213–216  isi  scopus] 9
3. А. С. Насибов, К. В. Бережной, М. Б. Бочкарев, А. Г. Садыкова, П. В. Шапкин, С. А. Шунайлов, “Лазерное излучение мишеней газового диода из соединений CdS<sub>х</sub>Se<sub>1-х</sub>”, Квантовая электроника, 44:3 (2014),  201–205  mathnet  elib [A. S. Nasibov, K. V. Berezhnoi, M. B. Bochkarev, A. G. Sadykova, P. V. Shapkin, S. A. Shunailov, “Laser radiation of CdS<sub>x</sub>Se<sub>1-x</sub> targets in a gas diode”, Quantum Electron., 44:3 (2014), 201–205  isi  scopus] 3
4. С. Д. Великанов, В. П. Данилов, Н. Г. Захаров, Н. Н. Ильичев, С. Ю. Казанцев, В. П. Калинушкин, И. Г. Кононов, А. С. Насибов, М. И. Студеникин, П. П. Пашинин, К. Н. Фирсов, П. В. Шапкин, В. В. Щуров, “Лазер на кристалле ZnSe:Fe<sup>2+</sup> с накачкой излучением нецепного электроразрядного HF-лазера при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 44:2 (2014),  141–144  mathnet  elib [S. D. Velikanov, V. P. Danilov, N. G. Zakharov, N. N. Il'ichev, S. Yu. Kazantsev, V. P. Kalinushkin, I. G. Kononov, A. S. Nasibov, M. I. Studenikin, P. P. Pashinin, K. N. Firsov, P. V. Shapkin, V. V. Shchurov, “Fe<sup>2+</sup> : ZnSe laser pumped by a nonchain electric-discharge HF laser at room temperature”, Quantum Electron., 44:2 (2014), 141–144  isi  scopus] 58
2008
5. К. В. Бережной, А. С. Насибов, П. В. Шапкин, В. Г. Шпак, С. А. Шунайлов, М. И. Яландин, “Излучение пластин селенида цинка при возбуждении импульсным электрическим полем”, Квантовая электроника, 38:9 (2008),  829–832  mathnet  elib [K. V. Berezhnoi, A. S. Nasibov, P. V. Shapkin, V. G. Shpak, S. A. Shunailov, M. I. Yalandin, “Emission of zinc selenide plates excited by a pulsed electric field”, Quantum Electron., 38:9 (2008), 829–832  isi  scopus] 9
6. Н. Н. Ильичев, В. П. Данилов, В. П. Калинушкин, М. И. Студеникин, П. В. Шапкин, А. С. Насибов, “Суперлюминесцентный ИК излучатель на кристалле ZnSe:Fe<sup>2+</sup>, работающий при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 38:2 (2008),  95–96  mathnet  elib [N. N. Il'ichev, V. P. Danilov, V. P. Kalinushkin, M. I. Studenikin, P. V. Shapkin, A. S. Nasibov, “Superluminescent room-temperature Fe<sup>2+</sup>:ZnSe IR radiation source”, Quantum Electron., 38:2 (2008), 95–96  isi  scopus] 34
2007
7. А. А. Самохин, В. И. Вовченко, Н. Н. Ильичев, П. В. Шапкин, “Особенности взрывного вскипания воды под действием излучения эрбиевого лазера с модулированной добротностью”, Квантовая электроника, 37:12 (2007),  1141–1142  mathnet  elib [A. A. Samokhin, V. I. Vovchenko, N. N. Il'ichev, P. V. Shapkin, “Features of the explosive boiling up of water irradiated by a Q-switched erbium laser”, Quantum Electron., 37:12 (2007), 1141–1142  isi  scopus] 9
8. Н. Н. Ильичев, П. П. Пашинин, П. В. Шапкин, А. С. Насибов, “Пассивная модуляция добротности лазера на стекле с эрбием с помощью кристалла ZnSe:Co<sup>2+</sup>”, Квантовая электроника, 37:10 (2007),  974–980  mathnet  elib [N. N. Il'ichev, P. P. Pashinin, P. V. Shapkin, A. S. Nasibov, “Passive Q-switching of an erbium-doped glass laser by using a Co<sup>2+</sup> : ZnSe crystal”, Quantum Electron., 37:10 (2007), 974–980  isi  scopus] 5
2004
9. Н. Н. Ильичев, П. В. Шапкин, С. Е. Мосалева, А. С. Насибов, “Исследование нелинейного пропускания кристаллов ZnSe:Co<sup>2+</sup> на длине волны 1.54 мкм”, Квантовая электроника, 34:12 (2004),  1169–1172  mathnet [N. N. Il'ichev, P. V. Shapkin, S. E. Mosaleva, A. S. Nasibov, “Study of the nonlinear transmission of Co<sup>2+</sup>:ZnSe crystals at a wavelength of 1.54 μm”, Quantum Electron., 34:12 (2004), 1169–1172  isi] 4
1998
10. В. И. Козловский, П. А. Трубенко, Е. М. Дианов, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, П. В. Шапкин, “Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией”, Квантовая электроника, 25:4 (1998),  305–307  mathnet [V. I. Kozlovsky, P. A. Trubenko, E. M. Dianov, Yu. V. Korostelin, Ya. K. Skasyrsky, P. V. Shapkin, “Semiconductor laser with longitudinal electron-beam pumping and based on a quantum-well ZnCdSe/ZnSe structure grown on a ZnSe substrate by molecular beam epitaxy”, Quantum Electron., 28:4 (1998), 294–296  isi]
1991
11. Ю. В. Коростелин, А. С. Насибов, П. В. Шапкин, Л. С. Марков, Д. Л. Федоров, “Экситонная пьезоспектроскопия твердых растворов полупроводников со структурным фазовым переходом сфалерит$-$вюрцит”, Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1077–1085  mathnet
1989
12. А. С. Насибов, Л. Г. Суслина, Д. Л. Федоров, Ю. В. Коростелин, П. В. Шапкин, Л. С. Марков, “Экситонные механизмы в излучательных процессах идеальных твердых растворов полупроводников (система Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se, ${0<x<1}$)”, Физика твердого тела, 31:10 (1989),  70–78  mathnet  isi
1988
13. А. З. Обидин, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, В. А. Фролов, Ю. В. Коростелин, П. В. Шапкин, “Стримерный лазер на сульфиде цинка”, Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1764–1766  mathnet [A. Z. Obidin, A. N. Pechenov, Yu. M. Popov, V. A. Frolov, Yu. V. Korostelin, P. V. Shapkin, “Streamer zinc sulfide laser”, Sov J Quantum Electron, 18:9 (1988), 1100–1102  isi] 5
1986
14. З. Э. Буачидзе, И. С. Голдобин, В. Н. Морозов, В. А. Плетнев, А. С. Семенов, П. В. Шапкин, “Волноводные брегговские модуляторы света на основе кристаллов CdS<sub>x</sub>Se<sub>1–x</sub>”, Квантовая электроника, 13:4 (1986),  698–703  mathnet [Z. È. Buachidze, I. S. Goldobin, V. N. Morozov, V. A. Pletnev, A. S. Semenov, P. V. Shapkin, “Waveguide Bragg light modulators made of CdS<sub>x</sub>Se<sub><font size=-1>1</font>–x</sub> crystals”, Sov J Quantum Electron, 16:4 (1986), 456–459  isi]
1985
15. И. В. Акимова, А. М. Ахекян, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, П. В. Шапкин, “Кластеры Te$_{n}$-центры эффективной излучательной рекомбинации в ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant0.2}$)”, Физика твердого тела, 27:6 (1985),  1734–1741  mathnet  isi
16. З. Э. Буачидзе, И. В. Василищева, В. Н. Морозов, В. А. Плетнев, А. С. Семенов, П. В. Шапкин, “Создание и исследование интегрально-оптических волноводов на основе CdS<sub>x</sub>Se<sub>1–x </sub>”, Квантовая электроника, 12:9 (1985),  1814–1818  mathnet [Z. È. Buachidze, I. V. Vasilishcheva, V. N. Morozov, V. A. Pletnev, A. S. Semenov, P. V. Shapkin, “Fabrication and investigation of integrated-optics CdS<sub>x</sub>Se<sub>1–x </sub> waveguides”, Sov J Quantum Electron, 15:9 (1985), 1201–1204  isi]
17. И. В. Акимова, Т. И. Березина, А. Н. Печенов, В. И. Решетов, Л. Е. Решетова, П. В. Шапкин, “Влияние избыточного давления серы при выращивании кристаллов CdS на характеристики лазеров, возбуждаемых электронным пучком”, Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1307–1309  mathnet [I. V. Akimova, T. I. Berezina, A. N. Pechenov, V. I. Reshetov, L. E. Reshetova, P. V. Shapkin, “Influence of excess sulfur pressure during growth of CdS crystals on the characteristics of electron-beam-excited lasers”, Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 867–868  isi]
18. А. М. Ахекян, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. С. Насибов, Ю. М. Попов, П. В. Шапкин, “Монокристаллы твердых растворов ZnSe<sub>1–x</sub>Te<sub>x</sub>, Zn<sub>1–x</sub>Cd<sub>x</sub>Se, Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1–x</sub>S для лазеров с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1113–1116  mathnet [A. M. Akhekyan, V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, A. S. Nasibov, Yu. M. Popov, P. V. Shapkin, “Single crystals of ZnSe<sub>1–x</sub>Te<sub>x</sub>, Zn<sub>1–x</sub>Cd<sub>x</sub>Se, and Zn<sub>x</sub>Cd<sub>1–x</sub>S solid solutions for electron-beam-pumped lasers”, Sov J Quantum Electron, 15:5 (1985), 737–739  isi] 6
1984
19. В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. С. Насибов, П. В. Шапкин, “УФ полупроводниковый лазер на ZnS с продольной накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 11:3 (1984),  618–621  mathnet [V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, A. S. Nasibov, P. V. Shapkin, “Ultraviolet ZnS semiconductor laser pumped longitudinally by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 420–422  isi] 5
1982
20. З. Э. Буачидзе, И. В. Василищева, В. Н. Морозов, В. А. Плетнев, А. С. Семенов, П. В. Шапкин, “Создание и исследование тонкопленочных волноводов на основе CdS<sub>x</sub>Se<sub>1–x</sub>”, Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2329–2330  mathnet [Z. È. Buachidze, I. V. Vasilishcheva, V. N. Morozov, V. A. Pletnev, A. S. Semenov, P. V. Shapkin, “Fabrication and investigation of thin-film CdS<sub>x</sub>Se<sub>1–x</sub> waveguides”, Sov J Quantum Electron, 12:11 (1982), 1514–1516  isi] 2
21. И. В. Акимова, А. В. Дуденкова, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. С. Насибов, П. В. Резников, Е. М. Тишина, П. В. Шапкин, “Улучшение характеристик полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком на основе монокристаллов ZnSe”, Квантовая электроника, 9:10 (1982),  2099–2102  mathnet [I. V. Akimova, A. V. Dudenkova, V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, A. S. Nasibov, P. V. Reznikov, E. M. Tishina, P. V. Shapkin, “Improvement of the characteristics of ZnSe single-crystal semiconductor lasers pumped longitudinally by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 12:10 (1982), 1366–1368  isi] 6
1979
22. П. Д. Березин, З. Э. Буачидзе, А. С. Семенов, Н. П. Удалов, П. В. Шапкин, “Оптически управляемый дефлектор на основе тонкопленочного волновода”, Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1580–1582  mathnet [P. D. Berezin, Z. É. Buachidze, A. S. Semenov, N. P. Udalov, P. V. Shapkin, “Optically controlled deflector based on a thin-film waveguide”, Sov J Quantum Electron, 9:7 (1979), 933–934]
1978
23. Л. Н. Борович, А. В. Дуденкова, В. М. Леонов, Ю. М. Попов, О. Н. Таленский, П. В. Шапкин, “Исследование зависимости излучательных свойств монокристаллов сульфида кадмия от концентрации равновесных носителей тока”, Квантовая электроника, 5:3 (1978),  642–646  mathnet [L. I. Borovich, A. V. Dudenkova, V. M. Leonov, Yu. M. Popov, O. N. Talenskiǐ, P. V. Shapkin, “Investigation of the dependence of the radiative properties of cadmium sulfide single crystals on the equilibrium carrier density”, Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 369–371]
1977
24. И. В. Акимова, Л. Н. Борович, И. П. Василищева, А. В. Дуденкова, А. В. Егоров, А. С. Насибов, О. Н. Таленский, Ю. М. Попов, П. В. Шапкин, “Определение глубины нарушенного слоя в лазерных экранах, изготовленных из монокристаллов сульфида кадмия”, Квантовая электроника, 4:6 (1977),  1357–1359  mathnet [I. V. Akimova, L. N. Borovich, I. P. Vasilishcheva, A. V. Dudenkova, A. V. Egorov, A. S. Nasibov, O. N. Talenskiǐ, Yu. M. Popov, P. V. Shapkin, “Determination of the depth of the disturbed layer in laser screens made of cadmium sulfide single crystals”, Sov J Quantum Electron, 7:6 (1977), 765–767] 3
25. В. И. Козловский, А. С. Насибов, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов, О. Н. Таленский, П. В. Шапкин, “Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdS<sub>x</sub>Se<sub>1–x</sub>, ZnSe”, Квантовая электроника, 4:2 (1977),  351–354  mathnet [V. I. Kozlovskiǐ, A. S. Nasibov, A. N. Pechenov, Yu. M. Popov, O. N. Talenskiǐ, P. V. Shapkin, “Laser screens made of single-crystal CdS, CdS<sub>x</sub>Se<sub>1–x</sub>, and ZnSe ingots”, Sov J Quantum Electron, 7:2 (1977), 194–196] 8
1974
26. Л. Н. Борович, А. В. Дуденкова, В. М. Леонов, Ю. М. Попов, О. Н. Таленский, П. В. Шапкин, В. К. Якушин, В. К. Якушин, “Фотолюминесцентные свойства и коэффициент усиления монокристаллов CdS, CdSe при возбуждении электронным пучком”, Квантовая электроника, 1:3 (1974),  653–659  mathnet [L. N. Borovich, A. V. Dudenkova, V. M. Leonov, Yu. M. Popov, O. N. Talenskii, P. V. Shapkin, V. K. Yakushin, V. K. Yakushin, “Photoluminescence and gain of CdS and CdSe single crystals under electron-beam excitation conditions”, Sov J Quantum Electron, 4:3 (1974), 365–368]
1972
27. О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, М. М. Зверев, А. Н. Коломийский, О. В. Матвеев, П. В. Шапкин, “Монокристаллы сульфида кадмия для лазеров с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 1972, № 7,  44–47  mathnet [O. V. Bogdankevich, N. A. Borisov, M. M. Zverev, A. N. Kolomiiskii, O. V. Matveev, P. V. Shapkin, “Cadmium sulfide single crystals suitable for electron-beam-pumped lasers”, Sov J Quantum Electron, 2:1 (1972), 31–33] 1

1998
28. В. И. Козловский, П. А. Трубенко, Е. М. Дианов, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, П. В. Шапкин, “Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией («Квантовая электроника», 1998, т.25, №4, с. 305-307)”, Квантовая электроника, 25:6 (1998),  576  mathnet [V. I. Kozlovsky, P. A. Trubenko, E. M. Dianov, Yu. V. Korostelin, Ya. K. Skasyrsky, P. V. Shapkin, “Erratum: Semiconductor laser with longitudinal electron-beam pumping and based on a quantum-well ZnCdSe/ZnSe structure grown on a ZnSe substrate by molecular beam epitaxy [Quantum Electronics 28 (4) 294 - 296 (1998)]”, Quantum Electron., 28:5 (1998), 468  isi]

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024