|
Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 9, страницы 829–832
(Mi qe13814)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Активные среды. Лазеры
Излучение пластин селенида цинка при возбуждении импульсным электрическим полем
К. В. Бережнойa, А. С. Насибовa, П. В. Шапкинa, В. Г. Шпакb, С. А. Шунайловb, М. И. Яландинb a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация:
Определена зависимость мощности излучения пластин селенида цинка, помещенных в воздушный зазор между электродами, от амплитуды подаваемых высоковольтных субнаносекундных импульсов и величины зазора. Приведены спектры лазерного излучения образцов при возбуждении их электронным пучком и электрическим полем. Показано влияние формы электродов на картину излучения. Наблюдалось увеличение длительности лазерного импульса по сравнению с длительностью возбуждающего высоковольтного импульса. Высказано предположение о том, что наиболее вероятной причиной этого являются процессы рекомбинационного излучения, протекающие в плотной электронно-дырочной плазме.
Поступила в редакцию: 05.02.2008 Исправленный вариант: 22.05.2008
Образец цитирования:
К. В. Бережной, А. С. Насибов, П. В. Шапкин, В. Г. Шпак, С. А. Шунайлов, М. И. Яландин, “Излучение пластин селенида цинка при возбуждении импульсным электрическим полем”, Квантовая электроника, 38:9 (2008), 829–832 [Quantum Electron., 38:9 (2008), 829–832]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13814 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v38/i9/p829
|
|