Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 9, страницы 829–832 (Mi qe13814)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Активные среды. Лазеры

Излучение пластин селенида цинка при возбуждении импульсным электрическим полем

К. В. Бережнойa, А. С. Насибовa, П. В. Шапкинa, В. Г. Шпакb, С. А. Шунайловb, М. И. Яландинb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация: Определена зависимость мощности излучения пластин селенида цинка, помещенных в воздушный зазор между электродами, от амплитуды подаваемых высоковольтных субнаносекундных импульсов и величины зазора. Приведены спектры лазерного излучения образцов при возбуждении их электронным пучком и электрическим полем. Показано влияние формы электродов на картину излучения. Наблюдалось увеличение длительности лазерного импульса по сравнению с длительностью возбуждающего высоковольтного импульса. Высказано предположение о том, что наиболее вероятной причиной этого являются процессы рекомбинационного излучения, протекающие в плотной электронно-дырочной плазме.
Поступила в редакцию: 05.02.2008
Исправленный вариант: 22.05.2008
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2008, Volume 38, Issue 9, Pages 829–832
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2008v038n09ABEH013814
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh


Образец цитирования: К. В. Бережной, А. С. Насибов, П. В. Шапкин, В. Г. Шпак, С. А. Шунайлов, М. И. Яландин, “Излучение пластин селенида цинка при возбуждении импульсным электрическим полем”, Квантовая электроника, 38:9 (2008), 829–832 [Quantum Electron., 38:9 (2008), 829–832]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe13814
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v38/i9/p829
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:172
    PDF полного текста:83
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024