Определение глубины нарушенного слоя в лазерных экранах, изготовленных из монокристаллов сульфида кадмия

Исследована глубина нарушенного слоя в монокристаллах сульфида кадмия при механической полировке поверхности различными алмазными абразивами и химико-механической полировке. Глубина нарушенного слоя определялась методом циклического травления и регистрировалась по скорости травления и интенсивности излучения фотолюминесценции в спектральном интервале длин волн 0,47–0,8 мкм при T=77 K. Наименьшая глубина нарушенного слоя (3,5–5 мкм) и лучшие излучательные свойства были получены на кристаллах при химико-механической полировке.