Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 6, страницы 521–526 (Mi qe16190)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Нелинейно-оптические явления

Спектры поглощения и нелинейное пропускание (на $\lambda=2940$ нм) монокристалла ZnSe:Fe$^{2+}$, легированного диффузионным методом

Г. А. Буфетоваa, Э. С. Гулямоваa, Н. Н. Ильичевa, А. С. Насибовb, П. П. Пашининa, П. В. Шапкинa

a Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: В области длин волн 500–7000 нм измерены спектры пропускания образца ZnSe, легированного ионами Fe$^{2+}$ диффузионным методом. Обнаружена широкая линия поглощения в диапазоне 500–1500 нм, которая присутствует как в легированных областях образца, так и в нелегированных. Возникновение этой полосы, возможно, связано с нарушением стехиометрии кристалла при проведении диффузии. Измерено пропускание образца ZnSe:Fe$^{2+}$ при разных концентрациях примеси для интенсивного (до 8 МВт/см$^2$) импульса излучения с длиной волны 2940 нм. Установлено, что образцы просветляются не полностью, причем пропускание во время действия импульса сначала растет, достигает максимума и падает. Показано, что неполное просветление не может быть объяснено поглощением из возбужденного состояния. Неполное просветление (как и наличие максимума пропускания) обусловлено нагревом образца, что приводит к уменьшению времени жизни верхнего уровня и, следовательно, к увеличению интенсивности насыщения поглощения.
Ключевые слова: кристалл ZnSe, легирование методом диффузии, спектры поглощения, нелинейное пропускание.
Поступила в редакцию: 02.10.2014
Исправленный вариант: 14.11.2014
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 6, Pages 521–526
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n06ABEH015687
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 42.70.Mp
Образец цитирования: Г. А. Буфетова, Э. С. Гулямова, Н. Н. Ильичев, А. С. Насибов, П. П. Пашинин, П. В. Шапкин, “Спектры поглощения и нелинейное пропускание (на $\lambda=2940$ нм) монокристалла ZnSe:Fe$^{2+}$, легированного диффузионным методом”, Квантовая электроника, 45:6 (2015), 521–526 [Quantum Electron., 45:6 (2015), 521–526]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BufGulIli15}
\by Г.~А.~Буфетова, Э.~С.~Гулямова, Н.~Н.~Ильичев, А.~С.~Насибов, П.~П.~Пашинин, П.~В.~Шапкин
\paper Спектры поглощения и нелинейное пропускание (на $\lambda=2940$~нм) монокристалла ZnSe:Fe$^{2+}$, легированного диффузионным методом
\jour Квантовая электроника
\yr 2015
\vol 45
\issue 6
\pages 521--526
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe16190}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24073766}
\transl
\jour Quantum Electron.
\yr 2015
\vol 45
\issue 6
\pages 521--526
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE2015v045n06ABEH015687}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000357046700005}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84933530949}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16190
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i6/p521
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:320
    PDF полного текста:108
    Список литературы:49
    Первая страница:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024